최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기세라미스트 = Ceramist, v.20 no.4, 2017년, pp.15 - 22
양희준 (성균관대학교 에너지과학과)
초록이 없습니다.
* AI 자동 식별 결과로 적합하지 않은 문장이 있을 수 있으니, 이용에 유의하시기 바랍니다.
핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
---|---|---|
2차원 반도체 소재의 특징은? | 2차원 반도체 소재는 소자가 동작하는 상온에서 구조 상전이를 비롯하여 다양한 전기적, 자성, 양자역학적 물성을 보이는데, 이를 자유롭게 활용하면 기존에 존재하지 않은 새로운 소자 구조 및 동작을 구현할 수 있다. 예를 들어 기존에 알려진 온도를 통한 상전이의 경우 이를 상온에서 동작하는 소자에 적용하기 어려움이 따르나, 2차원 소재기반으로 보고된 레이저 기반, 물리적 압력 기반, 도핑에 따른 상전이는 우리에게 새로운 옵션을 다양하게 제공한다. | |
자기저항은 어떤 방식으로 활용될 수 있는가? | 자기저항(magnetoresistance)이란 금속이나 반도체 물질에 자기장을 가해줄 때 저항이 변하는 현상을 말한다. 이러한 효과는 저항의 변화를 측정하여 자기장의 크기와 방향을 측정하는 자기센서22)에 사용되거나 캐리어의 전하와 스핀을 동시에 활용하는 스핀트로닉스에 응용되어 사용될 수 있다. 특히, 스핀트로닉스 분야에 속하는 스핀 트랜지스터는 기존 실리콘 전자 소자 기술을 대체할 차세대 소자로 평가받고 있고23)(Fig. | |
전이금속 칼코젠 화합물은 어떤 구조를 가지고 있는가? | 하지만, 층상 구조 소재이며 각 층은 이웃한 층과 반데르발스 상호작용을 갖는 2차원 반도체인 전이금속칼코젠 화합물(transition metal dichalcogenides, TMDs)은 더욱 복잡한 상전이 체계를 가진다1). 전이금속 칼코젠 화합물은 주기율표 상의 두 개의 산소족(16족) 원자 층 사이에 하나의 전이 금속 원자가 결합된 구조를 가지고 있다2). 이러한 층상 구조는 기존 3차원 소재와는 달리 전이금속칼코젠 화합물의 층 간 상호작용과 강한 스핀-궤도의 결합, 두께에 따른 격자 대칭 및 전자 상관 관계를 보이며, 이것들이 다양한 구조 및 양자 위상 전이에 중요한 역할을 한다3-5). |
J. A. Wilson, F. J. Di Salvo and S. Mahajan, "Chargedensity waves and superlattices in the metallic layered transition metal dichalcogenides"Adv. Phys., 24 [2] 117-201 (1975).
M. Chhowalla, H. S. Shin, G. Eda, L.-J. Li, K. P. Loh and H. Zhang. "The chemistry of two-dimensional layered transition metal dichalcogenide nanosheets"Nat. Chem., 5 263-275 (2013)
R. Kappera, D. Voiry, S. E. Yalcin, B. Branch, G. Gupta, A. D. Mohite and M. Chhowalla, Phaseengineered low-resistance contacts for ultrathin $MoS_2$ transistors"Nat. Mater., 13 1128-1134 (2014)
D. H. Keum, S. Cho, J. H. Kim, D.-H. Choe, H.-J. Sung, M. Kan, H. Kang, J.-Y. Hwang, S. W. Kim, H. Yang, K. J. Chang and Y. H. Lee,"Bandgap opening in few-layered monoclinic $MoTe_2$ "Nat. Phys., 11 482-486 (2015)
S. Cho, S. Kim, J. H. Kim, J. Zhao, J. Seok, D. H. Keum, J. Baik, D.-H. Choe, K. J. Chang, K. Suenaga, S. W. Kim, Y. H. Lee and H. Yang,"Phase patterning for ohmic homojunction contact in $MoTe_2$ "Science, 349 625-628 (2015)
S. Song, D. H. Keum, S. Cho, D. Perello, Y. Kim and Y. H. Lee, "Room Temperature Semiconductor- Metal Transition of $MoTe_2$ Thin Films Engineered by Strain"Nano Lett., 16 [1] 188-193 (2016)
S. Kim, S. Song, J. Park, H. S. Yu, S. Cho, D. Kim, J. Baik, D.-H. Choe, K. J. Chang, Y. H. Lee, S. W. Kim and H. Yang, "Long-Range Lattice Engineering of $MoTe_2$ by a 2D Electride"Nano Lett., 17 [6] 3363- 3368 (2017)
H. Yang, S. W. Kim, M. Chhowalla and Y. H. Lee, "Structural and quantum-state phase transitions in van der Waals layered materials" Nat. Phys. 13 931-937 (2017)
K.-A. N. Duerloo, Y. Li and E. J. Reed, "Structural phase transitions in two-dimensional Mo- and W-dichalcogenide monolayers" Nat. Comm., 5 4214 (2014)
X. Qian, J. Liu, L. Fu and J. Li, "Quantum spin Hall effect in two-dimensional transition metal dichalcogenides" Science, 346 1344-1347 (2014)
J. Liu, H. Wang, C. Fang, L. Fu and X. Qian, "van der Waals stacking-induced topological phase transition in layered ternary transition metal chalcogenides" Nano Lett., 17 [1] 467-475 (2017)
Y. Sun, S.-C. Wu, M. N. Ali, C. Felser and B. Yan, "Prediction of Weyl semimetal in orthorhombic $MoTe_2$ " Phys. Rev. B, 92 161107 (2015)
A. Y. C. Yu, "Electron tunneling and contact resistance of metal-silicon contact barriers" Solid-State Electron, 13 239-247 (1970)
Y. Guo, D. Sun, B. Ouyang, A. Raja, J. Song, T. F. Heinz and L. E. Brus, "Probing the Dynamics of the Metallic-to-Semiconducting Structural Phase Transformation in $MoS_2$ Crystals" Nano Lett., 15 [8] 5081-5088 (2015)
D.-H. Choe, H.-J. Sung, and K. J. Chang, "Understanding topological phase transition in monolayer transition metal dichalcogenides" Phys. Rev. B, 83 125109 (2016).
Kane, C. L., Mele, E. J., "Quantum Spin Hall Effect in Graphene" Phys. Rev. Lett., 95 226801 (2005).
Konig, M. et al., "Quantum Spin Hall Insulator State in HgTe Quantum Wells" Science, 318 766-770 (2007).
J. Wunderlich et al., "Spin Hall Effect Transistor" Science, 330 1801-1804 (2010).
D. Pesin and A. H. MacDonald, "Spintronics and pseudospintronics in graphene and topological insulators" Nat. Mater., 11 409-416 (2012).
C. Brune et al., "Spin polarization of the quantum spin Hall edge states" Nat. Phys., 8 485-490 (2012).
A. R. Mellnik et al., "Spin-transfer torque generated by a topological insulator" Nature, 511 449-451 (2014).
James Lenz and Alan S. Edelstein, "Magnetic Sensors and Their Applications" IEEE Sens. J., 6 631 (2006).
H. C. Koo, J. H. Kwon, J. Eom, J. Chang, S. H. Han, and M. Johnson, "Control of Spin Precession in a Spin-Injected Field Effect Transistor" Science, 325 1515-1518 (2009).
Mazhar N. Ali et al., "Large, non-saturating magnetoresistance in $WTe_2$ " Nature, 514 205-210 (2014).
Suyeon Cho et al., "Te vacancy-driven superconductivity in orthorhombic molybdenum ditelluride" 2D Mater., 4 021030 (2017).
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.