ITO 박막은 가시광선 영역에서 높은 투과도와 우수한 전도성을 가지고 있어 팡전자 분야에 널리 연구되어지고 있다. 본 연에서는 산업계에서 널리 이용되고 있는 DC마그네트론 스퍼터링 방법으로 두께가 다른 몇가지 ITO 박막을 유리기판 위에 증착시키고 두께에 따른 물성(구조적, 전기적, 광학적, 열적 특성)을 알아보고 변화와 내알칼리, 내산, 내열 처리시킨 후 물성 변화를 조사하였다.
구조적 특성으로서는 ...
ITO 박막은 가시광선 영역에서 높은 투과도와 우수한 전도성을 가지고 있어 팡전자 분야에 널리 연구되어지고 있다. 본 연에서는 산업계에서 널리 이용되고 있는 DC마그네트론 스퍼터링 방법으로 두께가 다른 몇가지 ITO 박막을 유리기판 위에 증착시키고 두께에 따른 물성(구조적, 전기적, 광학적, 열적 특성)을 알아보고 변화와 내알칼리, 내산, 내열 처리시킨 후 물성 변화를 조사하였다.
구조적 특성으로서는 XRD, SEM, AFM으로 박막의 결정화 정도, 두께, 표면상태를 관찰해 보았다. 전기적 특성으로서는 4 point probe로 면저항을 알아보았다. 광학적 특성은 투과율변화로, 열적 특성은 교류열량계로 열확산도를 측정함으로써 알 수 있었다.
떤저항은 두께가 증가할수록 작아짐을 알 수 있었고 투과율은 두께가 증가할수록 감소하지 않았다. 이는 박막 두께 약 50 ~ 90 nm 에서 간섭현상이 일어나기 때문이라 추정된다. XRD 분석결과 두께가 증가할수록 ITO 박막의 대부분을 차지하는 In₂O₃의 peak가 증가하여 ITO 박막의 결정성이 향상됨을 알 수 있었고 두께가 증가할수록 열확산도는 증가하였다.
내알칼리, 내산, 내열 처리시킨 후의 ITO 박막의 두께는 감소하였다. 이는 처리 후 박막표면이 식각된 것에 기인된 것으로 추정된다. 처리 후 면저항은 처리 전보다 증가하였고, 처리 후 투과율은 두께에 따른 투과율 변화에서 처럼 박막 두께 약 50 ~ 90 nm 에
서 간섭현상이 일어남을 볼 수 있었다. XRD 분석결과 처리 후 In₂O₃의 peak가 없어졌으며 이것이 면저항의 증가를 야기 시킨 것으로 생각된다. 표면 거칠기와 열확산도는 처리 후 감소하였다. AFM사진을 통해 두께에 따른 grain의 크기는 증가함을 알 수 있었다.
ITO 박막은 가시광선 영역에서 높은 투과도와 우수한 전도성을 가지고 있어 팡전자 분야에 널리 연구되어지고 있다. 본 연에서는 산업계에서 널리 이용되고 있는 DC 마그네트론 스퍼터링 방법으로 두께가 다른 몇가지 ITO 박막을 유리기판 위에 증착시키고 두께에 따른 물성(구조적, 전기적, 광학적, 열적 특성)을 알아보고 변화와 내알칼리, 내산, 내열 처리시킨 후 물성 변화를 조사하였다.
구조적 특성으로서는 XRD, SEM, AFM으로 박막의 결정화 정도, 두께, 표면상태를 관찰해 보았다. 전기적 특성으로서는 4 point probe로 면저항을 알아보았다. 광학적 특성은 투과율변화로, 열적 특성은 교류열량계로 열확산도를 측정함으로써 알 수 있었다.
떤저항은 두께가 증가할수록 작아짐을 알 수 있었고 투과율은 두께가 증가할수록 감소하지 않았다. 이는 박막 두께 약 50 ~ 90 nm 에서 간섭현상이 일어나기 때문이라 추정된다. XRD 분석결과 두께가 증가할수록 ITO 박막의 대부분을 차지하는 In₂O₃의 peak가 증가하여 ITO 박막의 결정성이 향상됨을 알 수 있었고 두께가 증가할수록 열확산도는 증가하였다.
내알칼리, 내산, 내열 처리시킨 후의 ITO 박막의 두께는 감소하였다. 이는 처리 후 박막표면이 식각된 것에 기인된 것으로 추정된다. 처리 후 면저항은 처리 전보다 증가하였고, 처리 후 투과율은 두께에 따른 투과율 변화에서 처럼 박막 두께 약 50 ~ 90 nm 에
서 간섭현상이 일어남을 볼 수 있었다. XRD 분석결과 처리 후 In₂O₃의 peak가 없어졌으며 이것이 면저항의 증가를 야기 시킨 것으로 생각된다. 표면 거칠기와 열확산도는 처리 후 감소하였다. AFM사진을 통해 두께에 따른 grain의 크기는 증가함을 알 수 있었다.
ITO thin film is widely being studied in optoelectronic fields because it has high transmittance and superior electric conductivity. In this shudy, selreral ITO thin film samples with different thickness were prepared on glass plates by DC magnetron sputtering technique which is widely applied in in...
ITO thin film is widely being studied in optoelectronic fields because it has high transmittance and superior electric conductivity. In this shudy, selreral ITO thin film samples with different thickness were prepared on glass plates by DC magnetron sputtering technique which is widely applied in indusffal companies and thickness dependent physical (structural,electrical, optical, thermal) properties were checked.
Also, the changing of physical properties were investigated after the alltali proof, acid proof and lleat Proof'treatment.
The degree of crystallization, thickness, and suface condition were measured by using the XRD, SEM, AFM as the soilcftral characteristics and the sheet resistance was investigated by 4-point probe as an electTic property. The optical and thermal propefies were checked by the changing of transmittance and thermal diffusivity, respectively.
As the thickness increased, the sheet resistance reduced, however the transmittance didn't decrease. These are thought to be caused by the interference phenomerla in 50- 90 nm thicttness riuge. The XRD fualvsis shows that the degree of crystallization was improved because of the increase of In₂O₃ Peak. Also, the thermal diffusivit? increased as the thicltness of film increased.
After the alkali proof, acid proof and heat proof treatment, the thiclfness of ITO film were decreased and this is thought to be caused by the etching of the film surface. Also, the sheet resistance increased and the interFerence phenomena still exist in tile range of 30-90 nm thickness. The disappearance of In₂O₃ Peak checlted by XRD was thought to induce the increase of sheet resistance. After the treatments, both the surface roughness and thermal diffusivity decreased., however the grain size was checked to increase by the AFM.
ITO thin film is widely being studied in optoelectronic fields because it has high transmittance and superior electric conductivity. In this shudy, selreral ITO thin film samples with different thickness were prepared on glass plates by DC magnetron sputtering technique which is widely applied in indusffal companies and thickness dependent physical (structural,electrical, optical, thermal) properties were checked.
Also, the changing of physical properties were investigated after the alltali proof, acid proof and lleat Proof'treatment.
The degree of crystallization, thickness, and suface condition were measured by using the XRD, SEM, AFM as the soilcftral characteristics and the sheet resistance was investigated by 4-point probe as an electTic property. The optical and thermal propefies were checked by the changing of transmittance and thermal diffusivity, respectively.
As the thickness increased, the sheet resistance reduced, however the transmittance didn't decrease. These are thought to be caused by the interference phenomerla in 50- 90 nm thicttness riuge. The XRD fualvsis shows that the degree of crystallization was improved because of the increase of In₂O₃ Peak. Also, the thermal diffusivit? increased as the thicltness of film increased.
After the alkali proof, acid proof and heat proof treatment, the thiclfness of ITO film were decreased and this is thought to be caused by the etching of the film surface. Also, the sheet resistance increased and the interFerence phenomena still exist in tile range of 30-90 nm thickness. The disappearance of In₂O₃ Peak checlted by XRD was thought to induce the increase of sheet resistance. After the treatments, both the surface roughness and thermal diffusivity decreased., however the grain size was checked to increase by the AFM.
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