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문제 정의
- 타겟의 ImGSnth의 조성비는 90:10wt% 으로 하였다. 동일한 조건에서 기판 온도는 200℃와2 3℃의 두 가지 조건을 실험하여 증착시 기판온도가 박막에 어 떠 한 영향을 미치 게 될지 를 판단하고자 하였다. 그 외 에 Ar 가스의 flow rate를 50sccm으로 고정 하고 상대 적으로。2 가스의 flow rate# 0, 0.
- 사용하였다. 우수한 투명 도전 박막을 형성하기 위하여 DC magnetron sputtering 진공증착장비의 최적 증착 조건을 구하고자 한다. 이를 위하여 여러 실험조건(증착 온도와 가스유량의 변화 그리고 증착 rf power density, chamber pressure 등)에서 행 한 실험 을 여러 분석 장비 를통하여 가장 우수한 특성을 갖게 되는 증착조건을 확립하였다.
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