웨이퍼의 대구경화, 전자 장비의 소형화에 따른 회로의 미세화와 고집적화가 급속히 진행됨에 따라 감광액 도포 과정 중, 용액의 유동과 물질 전달의 상호작용을 이해하여 각 공정 단계마다 요구되는 적합한 두께로 코팅 액을 웨이퍼 위에 균일한 두께로 도포 시키는 것이 중요해지고 있다. 이러한 감광액 도포에는 회전 코팅법과 스프레이법이 있으나, 일반적으로 두께의 균일도를 향상시키기 위하여 회전 원판의 원심력을 이용하여 원판 위에 얇은 막을 형성하는 회전 코팅법이 주로 이용되고 있다. 따라서, 본 연구에서는 회전 ...
웨이퍼의 대구경화, 전자 장비의 소형화에 따른 회로의 미세화와 고집적화가 급속히 진행됨에 따라 감광액 도포 과정 중, 용액의 유동과 물질 전달의 상호작용을 이해하여 각 공정 단계마다 요구되는 적합한 두께로 코팅 액을 웨이퍼 위에 균일한 두께로 도포 시키는 것이 중요해지고 있다. 이러한 감광액 도포에는 회전 코팅법과 스프레이법이 있으나, 일반적으로 두께의 균일도를 향상시키기 위하여 회전 원판의 원심력을 이용하여 원판 위에 얇은 막을 형성하는 회전 코팅법이 주로 이용되고 있다. 따라서, 본 연구에서는 회전 코팅 공정에 관련된 2차원 층류 축대칭 유동에 관한 지배방정식들을 von Karman의 상사변환과 무차원 변수들을 이용하여 간략화하여, 증발을 고려한 회전 코팅을 해석할 수 있는 프로그램을 개발하였다. 개발된 프로그램을 이용하여 회전 코팅 방식에서 웨이퍼 회전 속도, 코팅 액의 초기 용매 농도, 공기 중에 포함된 용매 증기의 농도, 회전 속도의 가속시간 등이 필름 두께 감소에 미치는 영향에 대해서 평가하였다.
웨이퍼의 대구경화, 전자 장비의 소형화에 따른 회로의 미세화와 고집적화가 급속히 진행됨에 따라 감광액 도포 과정 중, 용액의 유동과 물질 전달의 상호작용을 이해하여 각 공정 단계마다 요구되는 적합한 두께로 코팅 액을 웨이퍼 위에 균일한 두께로 도포 시키는 것이 중요해지고 있다. 이러한 감광액 도포에는 회전 코팅법과 스프레이법이 있으나, 일반적으로 두께의 균일도를 향상시키기 위하여 회전 원판의 원심력을 이용하여 원판 위에 얇은 막을 형성하는 회전 코팅법이 주로 이용되고 있다. 따라서, 본 연구에서는 회전 코팅 공정에 관련된 2차원 층류 축대칭 유동에 관한 지배방정식들을 von Karman의 상사변환과 무차원 변수들을 이용하여 간략화하여, 증발을 고려한 회전 코팅을 해석할 수 있는 프로그램을 개발하였다. 개발된 프로그램을 이용하여 회전 코팅 방식에서 웨이퍼 회전 속도, 코팅 액의 초기 용매 농도, 공기 중에 포함된 용매 증기의 농도, 회전 속도의 가속시간 등이 필름 두께 감소에 미치는 영향에 대해서 평가하였다.
Spin coating to form a thin uniform film on a flat substrate is used by electronics industry to coat photo-resist on silicon wafers for very integrated circuits. In this study, the fluid flow, mass transfer, heat transfer and film thickness variation during the spin coating process are numerically s...
Spin coating to form a thin uniform film on a flat substrate is used by electronics industry to coat photo-resist on silicon wafers for very integrated circuits. In this study, the fluid flow, mass transfer, heat transfer and film thickness variation during the spin coating process are numerically studied. In early time film thinning is due to the radial convective outflow. However that slows during the first seconds of spinning so the film thinning due to evaporation of solvent becomes sole. The time various film thickness is analyzed according to spin speeds, the various solvent fraction in the coating liquid and in the bulk of the overlying gas during the spin coating is estimated.
Spin coating to form a thin uniform film on a flat substrate is used by electronics industry to coat photo-resist on silicon wafers for very integrated circuits. In this study, the fluid flow, mass transfer, heat transfer and film thickness variation during the spin coating process are numerically studied. In early time film thinning is due to the radial convective outflow. However that slows during the first seconds of spinning so the film thinning due to evaporation of solvent becomes sole. The time various film thickness is analyzed according to spin speeds, the various solvent fraction in the coating liquid and in the bulk of the overlying gas during the spin coating is estimated.
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