GaN계 화합물 반도체 초 박막 및 적층구조 재료는 직접처니형 넓은 금지대역과 높은 전자의 한계 속도 특성을 가져 LED, LD 및 HEMT, FET 등 각종 광·전자 소자의 고성능화가 가능하다. 이러한 소자들의 제작시 양호한 특성을 갖는 ohmic 전극의 제작기술은 꼭 필요하다. 이온성이 강한 GaN계 반도체 재료의 ohmic 접합은 표면준위 특성, 표면 모폴로지, ...
GaN계 화합물 반도체 초 박막 및 적층구조 재료는 직접처니형 넓은 금지대역과 높은 전자의 한계 속도 특성을 가져 LED, LD 및 HEMT, FET 등 각종 광·전자 소자의 고성능화가 가능하다. 이러한 소자들의 제작시 양호한 특성을 갖는 ohmic 전극의 제작기술은 꼭 필요하다. 이온성이 강한 GaN계 반도체 재료의 ohmic 접합은 표면준위 특성, 표면 모폴로지, 운반자 농도에 의존하게 되는데, 본 연구에서는 Ti/Al 두층의 ohmic 전극을 제작하고 전자 농도 의존성, 표면 준위 및 열처리 효과와 합금 계면 등을 분석함으로서 이 재료의 ohmic 전극 제작의 문제점을 해결하고자 하였다. 실험으로 Ion-Removed ECRMBE 법으로 성장한 n형 GaN 반도체 기판에 Electron 빔 증착기로 금속 전극을 제작하여 전자노도 1x10^(-19) cm^(-3) 인 n-GaN 시료에서 ρ_(c)=1x10^(-8)Ω-㎠의 매우 낮은 비저항의 ohmic전극을 제작하였다.
GaN계 화합물 반도체 초 박막 및 적층구조 재료는 직접처니형 넓은 금지대역과 높은 전자의 한계 속도 특성을 가져 LED, LD 및 HEMT, FET 등 각종 광·전자 소자의 고성능화가 가능하다. 이러한 소자들의 제작시 양호한 특성을 갖는 ohmic 전극의 제작기술은 꼭 필요하다. 이온성이 강한 GaN계 반도체 재료의 ohmic 접합은 표면준위 특성, 표면 모폴로지, 운반자 농도에 의존하게 되는데, 본 연구에서는 Ti/Al 두층의 ohmic 전극을 제작하고 전자 농도 의존성, 표면 준위 및 열처리 효과와 합금 계면 등을 분석함으로서 이 재료의 ohmic 전극 제작의 문제점을 해결하고자 하였다. 실험으로 Ion-Removed ECR MBE 법으로 성장한 n형 GaN 반도체 기판에 Electron 빔 증착기로 금속 전극을 제작하여 전자노도 1x10^(-19) cm^(-3) 인 n-GaN 시료에서 ρ_(c)=1x10^(-8)Ω-㎠의 매우 낮은 비저항의 ohmic전극을 제작하였다.
Gallium nitride(GaN) is a direct, wide band-gap semiconductor whose conduction band structure allows high saturation velocity of electrons. Due to these unique properties GaN is expected to find application in optical devices such as LED and LD as well as high power electrical devices such as HEMT a...
Gallium nitride(GaN) is a direct, wide band-gap semiconductor whose conduction band structure allows high saturation velocity of electrons. Due to these unique properties GaN is expected to find application in optical devices such as LED and LD as well as high power electrical devices such as HEMT and FET. High quality ohmic contacts are essentical for these devices. Ohmic contacts on GaN were depended on specifec character of surface state, surface mopology and doping concentration. On the ground ohmic-electrode manufactured in this study dependance on electron concentraton, the effect of surface state, heat-treatment and interface of alloy were analyzed, we attempt to settle a problem of ohmic-electrode. Ohmic contacts were fabricated on n-GaN films using Ti/Al bilayer metallization scheme. GaN films were grown with the carrier concentration of 1x10^(-19) cm^(-3) by ion-removed ECR MBE. The lowest specific contact resistivity (ρ_(c)) was measured to be 1.16x10^(-8)Ω-㎠.
Gallium nitride(GaN) is a direct, wide band-gap semiconductor whose conduction band structure allows high saturation velocity of electrons. Due to these unique properties GaN is expected to find application in optical devices such as LED and LD as well as high power electrical devices such as HEMT and FET. High quality ohmic contacts are essentical for these devices. Ohmic contacts on GaN were depended on specifec character of surface state, surface mopology and doping concentration. On the ground ohmic-electrode manufactured in this study dependance on electron concentraton, the effect of surface state, heat-treatment and interface of alloy were analyzed, we attempt to settle a problem of ohmic-electrode. Ohmic contacts were fabricated on n-GaN films using Ti/Al bilayer metallization scheme. GaN films were grown with the carrier concentration of 1x10^(-19) cm^(-3) by ion-removed ECR MBE. The lowest specific contact resistivity (ρ_(c)) was measured to be 1.16x10^(-8)Ω-㎠.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.