최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기초고집적화를 위한 패턴형성에서 선폭이 작아져야 하는 것은 반드시 이루어내야 하는 필수 조건이었다. 그래서 패턴을 형성하기 위한 리소그래피 공정에서 사용되어지는 광원의 파장도 점점 짧아지게 되었다. 처음에는 G-line (436 nm), I-line (365 nm) 그리고 지금 현재 KrF (248 nm), ArF (193 nm) 레이저가 사용되어 지고 있다. 레이저의 파장이 변화함에 따라서 사용되어지는 PhotoResist (PR) 의 종류도 달라졌다. 기본적인 ...
Post exposure bake (PEB) process among the lithography steps is important for making good patterns when the chemically amplified resist is used. The hydrogen ions or acid are generated from the photo acid generator by exposure light. The generated acid diffuses and acts as a catalyst for the chemica...
저자 | 박진백 |
---|---|
학위수여기관 | 한양대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 응용물리학과 |
발행연도 | 2007 |
총페이지 | iv, 33 p. |
키워드 | 물리학 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T10931530&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
*원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.