본 논문에서는 OLED(Organic Light Emitting Diodes)디스플레이용 전극재료로 쓰이는 ITO(Indium Tin Oxide)의 대체물질로 IZO(Indium Zinc Oxide)를 사용하여, 인가전압에 따른 IZO 박막의 전기적 광학적 구조적 특성을 연구를 하였다.IZO 타겟은 일반적으로 ITO의 성분비와 같은 90 : 10 wt% 사용을 하나 본 연구에서는 선행연구로 비율별로 진행이 되어진 결과로 In2O3 : ...
본 논문에서는 OLED(Organic Light Emitting Diodes)디스플레이용 전극재료로 쓰이는 ITO(Indium Tin Oxide)의 대체물질로 IZO(Indium Zinc Oxide)를 사용하여, 인가전압에 따른 IZO 박막의 전기적 광학적 구조적 특성을 연구를 하였다.IZO 타겟은 일반적으로 ITO의 성분비와 같은 90 : 10 wt% 사용을 하나 본 연구에서는 선행연구로 비율별로 진행이 되어진 결과로 In2O3 : ZnO = 78 : 22 wt%를 사용을 하였다. 박막제작 조건으로는 증착장비를 Magnetron sputtering을 사용하여, 초기 진공도는 5×10-6torr, Ar 가스 주입 후 진공도 3×10-3torr, Ar 가스는 25sccm의 분위기 속에서 IZO박막을 제작하였다.인가전압은 RF(Radio Frequency), DC(Direct Current), Pulsed DC를 사용하였으며, 특성 분석은 DC와 Pulsed DC로 제작된 IZO 박막을 비교하였다. 그 특성은 RF가 제일 좋은 것으로 나타났으나, 산업용에서는 사용되지 않는다. 이유는 RF power의 출력 전압이 물질에 따라 불안정하기 때문이다.본 연구에서 제시한 DC와 Pulsed DC의 인가 전원에 따른 IZO 박막을 전기적 광학적 구조적 특성은 다음과 같다.150nm의 두께에 20~30Ω/□의 면저항을 나타내었고, 비저항은 3×10-4Ω㎝의 결과를 얻었다.광학적 특성으로 550nm에서 모든 박막에 대해 85%의 투과도를 보였다.또한, 박막의 품질을 결정짓는 요소 중 하나인 표면 거칠기는 DC와 5KHz의 주파수에서 성막한 특성이 좋게 나왔다.본 실험에서 제시하였던 IZO 박막의 특성과 공정의 조건을 보았을 때, 양산용의 박막으로서 쓰여 질 수 있을 것으로 판단이 되어지며, 저온 성막으로 제안이 되어진 Pulsed DC의 경우, 5KHz에서 조건이 RF와 DC에 견주어 우수한 특성을 나타내는 박막을 제작할 수 있다고 판단이 되어진다.
본 논문에서는 OLED(Organic Light Emitting Diodes)디스플레이용 전극재료로 쓰이는 ITO(Indium Tin Oxide)의 대체물질로 IZO(Indium Zinc Oxide)를 사용하여, 인가전압에 따른 IZO 박막의 전기적 광학적 구조적 특성을 연구를 하였다.IZO 타겟은 일반적으로 ITO의 성분비와 같은 90 : 10 wt% 사용을 하나 본 연구에서는 선행연구로 비율별로 진행이 되어진 결과로 In2O3 : ZnO = 78 : 22 wt%를 사용을 하였다. 박막제작 조건으로는 증착장비를 Magnetron sputtering을 사용하여, 초기 진공도는 5×10-6torr, Ar 가스 주입 후 진공도 3×10-3torr, Ar 가스는 25sccm의 분위기 속에서 IZO박막을 제작하였다.인가전압은 RF(Radio Frequency), DC(Direct Current), Pulsed DC를 사용하였으며, 특성 분석은 DC와 Pulsed DC로 제작된 IZO 박막을 비교하였다. 그 특성은 RF가 제일 좋은 것으로 나타났으나, 산업용에서는 사용되지 않는다. 이유는 RF power의 출력 전압이 물질에 따라 불안정하기 때문이다.본 연구에서 제시한 DC와 Pulsed DC의 인가 전원에 따른 IZO 박막을 전기적 광학적 구조적 특성은 다음과 같다.150nm의 두께에 20~30Ω/□의 면저항을 나타내었고, 비저항은 3×10-4Ω㎝의 결과를 얻었다.광학적 특성으로 550nm에서 모든 박막에 대해 85%의 투과도를 보였다.또한, 박막의 품질을 결정짓는 요소 중 하나인 표면 거칠기는 DC와 5KHz의 주파수에서 성막한 특성이 좋게 나왔다.본 실험에서 제시하였던 IZO 박막의 특성과 공정의 조건을 보았을 때, 양산용의 박막으로서 쓰여 질 수 있을 것으로 판단이 되어지며, 저온 성막으로 제안이 되어진 Pulsed DC의 경우, 5KHz에서 조건이 RF와 DC에 견주어 우수한 특성을 나타내는 박막을 제작할 수 있다고 판단이 되어진다.
This thesis examines the electrical, optical and structural properties of IZO(Indium Zinc Oxide) thin films depending on various power supplies in order to determine its substitutability for the ITO(Indium Tin Oxide) thin films for the OLED (Organic Light Emitting Diodes) display.In general, the rat...
This thesis examines the electrical, optical and structural properties of IZO(Indium Zinc Oxide) thin films depending on various power supplies in order to determine its substitutability for the ITO(Indium Tin Oxide) thin films for the OLED (Organic Light Emitting Diodes) display.In general, the ratio of component mixing for IZO target is 90:10 wt% like the ITO, but the ratio of In2O3:ZnO(78:22wt%) was used for this study. The base pressure was set at 5×10-6torr, work pressure at 3×10-3torr and Ar gas pressure was set at 25 sccm in the atmosphere, for manufacturing of the IZO thin film.The input power source used were RF (Radio Frequency), DC (Direct Current) and Pulsed DC, and properties were compared between IZO thin films using DC and Pulsed DC. After all, the RF was found to produce the best result. Nevertheless, it is not used for the industry, because its output voltage is unstable depending on the materials of substrate.The electrical, optical and structural properties of the IZO thin film can be summed up as follows depending on DC and Pulsed DC input power source.The resistance of 150nm sheet was 20~30Ω/□, while its non-resistance was 3×10-4Ω㎝.At the thickness of 550nm, all thin films showed 85% or more of transmittance in terms of optical properties.In addition, the roughness of surface, one of the factors determining the film quality, was better in the film manufactured with DC and at 5KHz frequency.Given such properties of the IZO thin film and their processing conditions, this film may well be mass-produced. And it is judged that the films formed with the Pulsed DC at a lower temperature can be produced to have excellent properties comparable to RF and DC ones at the frequency of 5KHz.
This thesis examines the electrical, optical and structural properties of IZO(Indium Zinc Oxide) thin films depending on various power supplies in order to determine its substitutability for the ITO(Indium Tin Oxide) thin films for the OLED (Organic Light Emitting Diodes) display.In general, the ratio of component mixing for IZO target is 90:10 wt% like the ITO, but the ratio of In2O3:ZnO(78:22wt%) was used for this study. The base pressure was set at 5×10-6torr, work pressure at 3×10-3torr and Ar gas pressure was set at 25 sccm in the atmosphere, for manufacturing of the IZO thin film.The input power source used were RF (Radio Frequency), DC (Direct Current) and Pulsed DC, and properties were compared between IZO thin films using DC and Pulsed DC. After all, the RF was found to produce the best result. Nevertheless, it is not used for the industry, because its output voltage is unstable depending on the materials of substrate.The electrical, optical and structural properties of the IZO thin film can be summed up as follows depending on DC and Pulsed DC input power source.The resistance of 150nm sheet was 20~30Ω/□, while its non-resistance was 3×10-4Ω㎝.At the thickness of 550nm, all thin films showed 85% or more of transmittance in terms of optical properties.In addition, the roughness of surface, one of the factors determining the film quality, was better in the film manufactured with DC and at 5KHz frequency.Given such properties of the IZO thin film and their processing conditions, this film may well be mass-produced. And it is judged that the films formed with the Pulsed DC at a lower temperature can be produced to have excellent properties comparable to RF and DC ones at the frequency of 5KHz.
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