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반도체디스플레이기술학회지 = Journal of the semiconductor & display technology, v.12 no.4, 2013년, pp.49 - 54
권수경 (한국기술교육대학교 신소재공학과) , 이규만 (한국기술교육대학교 신소재공학과)
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In this study, we have investigated the effect of the substrate temperature and oxygen flow rate on the characteristics of IZO thin films for the OLED (organic light emitting diodes) devices. For this purpose, IZO thin films were deposited by RF magnetron sputtering at room temperature and
| 핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
|---|---|---|
| 박막 중 현재 가장 널리 사용되고 있는 물질은 무엇인가? | 현재 가장 널리 사용되고 있는 물질인 ITO (Indium Tin Oxide) 박막은 n-type의 전도특성을 갖는 산화물 반도체로서 넓은 밴드 갭과 함께 가시광 영역에서의 높은 투과율과 전기전도성을 나타낸다[4,5]. 그러나 300oC 이상의 고온 공정들은 ITO 박막의 결정화를 강화시켜 결정립에 의한 표면 거칠기를 증가시키고 그에 따라 소자의 안정성을 현저하게 저하시키는 요인이 된다. | |
| ITO (Indium Tin Oxide) 박막의 문제점은 무엇인가? | 현재 가장 널리 사용되고 있는 물질인 ITO (Indium Tin Oxide) 박막은 n-type의 전도특성을 갖는 산화물 반도체로서 넓은 밴드 갭과 함께 가시광 영역에서의 높은 투과율과 전기전도성을 나타낸다[4,5]. 그러나 300oC 이상의 고온 공정들은 ITO 박막의 결정화를 강화시켜 결정립에 의한 표면 거칠기를 증가시키고 그에 따라 소자의 안정성을 현저하게 저하시키는 요인이 된다. 또한, 원료 물질인 인듐의 독성, 스퍼터링 시 음이온 충격에 의한 막 손상에 의한 전기저항 증가, 유기발광소자의 투명전극으로 쓰일 경우에 유기물과의 계면부적합성, 그리고 수소플라즈마에 대한 불안정성 등이 문제점으로 지적되고 있다[4,5]. | |
| ITO (Indium Tin Oxide) 박막은 어떤 특성을 갖는 산화물 반도체인가? | 현재 가장 널리 사용되고 있는 물질인 ITO (Indium Tin Oxide) 박막은 n-type의 전도특성을 갖는 산화물 반도체로서 넓은 밴드 갭과 함께 가시광 영역에서의 높은 투과율과 전기전도성을 나타낸다[4,5]. 그러나 300oC 이상의 고온 공정들은 ITO 박막의 결정화를 강화시켜 결정립에 의한 표면 거칠기를 증가시키고 그에 따라 소자의 안정성을 현저하게 저하시키는 요인이 된다. |
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