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NTIS 바로가기This thesis describes an experimental research on the HBT process that uses a SiGe epitaxy layer as its base, and also Ni based silicide for the high performance. The SiGe film was deposited at low temperature of 675~725 ℃ with various dielectric mask and process conditions using reduced pressure ch...
저자 | 최아람 |
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학위수여기관 | 전북대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 반도체과학기술학(반도체과학기술학) |
지도교수 | 심규환 |
발행연도 | 2007 |
총페이지 | iv, p |
키워드 | SiGe HBT Selective Epitaxial Growth Ni silicide |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T11221397&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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