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NTIS 바로가기PECVD 방식에 의거 low-k 유전상수를 갖는 층간 절연막 (ILD)를 제작하였다. 전구체 BTMSM 액체를 기화하여 16sccm 에서부터 1 sccm씩 증가하면서 25sccm 까지 p-Si[100] 기판위에 유량비를 조절하였으며 60 sccm 으로 일정 산소 O₂ 가스를 반응 ...
The dielectric characteristics of low-k interlayer dielectric materials was fabricated by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The thin film of SiOCH is studied correlation between components and Dielectric constant. The BTMSM precursor was evaporated and introduced with the flow rates...
저자 | 김종욱 |
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학위수여기관 | 청주대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전자공학과 반도체공학 전공 |
지도교수 | 김홍배 |
발행연도 | 2009 |
총페이지 | 67 p. |
키워드 | PECVD 저유전 SiOCH |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T11552055&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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