프린팅 기술은 전자회로기판에서 기존 Photolithography 공정의 재료손실과 복잡한 공정의 문제점을 극복하는 대안으로 대두되고 있으며, 특히 유기EL분야에서 가장 경쟁력 있는 공정기술로 기대되고 있다. 또한 LCD, PDP, FED 등의 응용에도 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 프린팅 기술에 사용되는 소재인 전자잉크를 이용하여 ...
프린팅 기술은 전자회로기판에서 기존 Photolithography 공정의 재료손실과 복잡한 공정의 문제점을 극복하는 대안으로 대두되고 있으며, 특히 유기EL분야에서 가장 경쟁력 있는 공정기술로 기대되고 있다. 또한 LCD, PDP, FED 등의 응용에도 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 프린팅 기술에 사용되는 소재인 전자잉크를 이용하여 스핀코팅을 통해 박막형성 후 소결하여 저항, 두께 측정과 X-ray, SEM 분석으로 리간드 분해, Ag입자의 생성 및 성장을 조사하였고, 잉크의 분해를 알아보기 위하여 저장온도 및 저장시간을 달리한 시편을 제작하여 제작한 투과도 측정 장치를 이용해 투과도를 측정하였다. 투과도는 저장시간에 따라서 선형적인 변화를 나타내었다. 분석결과 전자잉크는 상태변화와는 무관한 저장온도만의 함수이며, 활성화 에너지에 의존하는 물질 특성임을 알 수 있었다. 또한 이를 전극으로 이용하여 고분자 OLED를 제작하고 그 특성을 조사하였다. Ag Ink를 양극(anode)로 이용한 고분자 인광 OLED 제작하기에 앞서 양극으로 많이 사용되고 있는 ITO 기판을 이용하여 그 특성을 조사 하였다. 고분자 PVK를 호스트로 이용하고 인광 도펀트 청색, 녹색, 적색을 도핑하여 고분자 인광 OLED를 제작하였다. ITO / PVK : FIrpic : Ir(2-phq)3 : Ir(ppy)3 (30nm) / TAZ (50 nm) / LiF (0.5nm) / Al (100nm)구조에서 인광 도펀트 청석, 녹색, 적색의 농도를 찾고자 하였으며, ITO 기판의 산소 플라즈마 처리를 통해 정공의 주입을 용이하게 하여 약 2배가량의 효율상승 효과를 나타내었으며, 스펙트럼은 450 nm부터 750 nm 의 전 영역을 포함하는 특성을 보였다. 또한 0.28 mA/㎠ 전류밀도 일 때 19.29 cd/A 의 최대 전류효율을 나타내었다. 또한 Ag Ink로 제작되는 양극은 발광층에서 생성된 빛이 반사되어 소자의 위쪽으로 발광(Top emission)하게 된다. 이에 음극(cathode)은 투명한 특성을 가져야만 한다. 따라서 Top emittion 발광을 위해서 Ca/Ag 투명 음전극을 사용하였다. 연구에 사용된 Ca/Ag 투명전극은 투과도 ~70% @550nm 이상으로 알려져 있는 Ca 10nm / Ag 10nm를 사용하였다. ITO / PVK : FIrpic : Ir(2-phq)3 : Ir(ppy)3 (30 nm) / TAZ (50 nm) / Ca (10 nm) / Ag (10 nm) 구조이며, 음극을 변화한 구조에서도 스펙트럼의 변화는 나타나지 않았다. Ag Ink를 양극으로 이용하고 용액공정을 기반으로 하는 고분자 인광 OLEDs 제작을 통해 18 V에서 1494 cd/㎡의 휘도가 구현되었고, 최대 전류효율은 23.9 mA/㎠ 전류밀도에서 6.27 cd/A 나타내었다. 아직까지 보고된 적 없는 Ag Ink를 양극으로 이용한 고분자 OLEDs 제작을 통해 기존 ITO 전극을 이용하였을 때의 효율특성 보다는 낮은 결과를 나타내었으나 전자잉크 (Ag Ink)를 양극으로 이용하여 고분자 OLEDs 제작의 가능성을 확인 할 수 있었다.
프린팅 기술은 전자회로기판에서 기존 Photolithography 공정의 재료손실과 복잡한 공정의 문제점을 극복하는 대안으로 대두되고 있으며, 특히 유기EL분야에서 가장 경쟁력 있는 공정기술로 기대되고 있다. 또한 LCD, PDP, FED 등의 응용에도 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 프린팅 기술에 사용되는 소재인 전자잉크를 이용하여 스핀코팅을 통해 박막형성 후 소결하여 저항, 두께 측정과 X-ray, SEM 분석으로 리간드 분해, Ag입자의 생성 및 성장을 조사하였고, 잉크의 분해를 알아보기 위하여 저장온도 및 저장시간을 달리한 시편을 제작하여 제작한 투과도 측정 장치를 이용해 투과도를 측정하였다. 투과도는 저장시간에 따라서 선형적인 변화를 나타내었다. 분석결과 전자잉크는 상태변화와는 무관한 저장온도만의 함수이며, 활성화 에너지에 의존하는 물질 특성임을 알 수 있었다. 또한 이를 전극으로 이용하여 고분자 OLED를 제작하고 그 특성을 조사하였다. Ag Ink를 양극(anode)로 이용한 고분자 인광 OLED 제작하기에 앞서 양극으로 많이 사용되고 있는 ITO 기판을 이용하여 그 특성을 조사 하였다. 고분자 PVK를 호스트로 이용하고 인광 도펀트 청색, 녹색, 적색을 도핑하여 고분자 인광 OLED를 제작하였다. ITO / PVK : FIrpic : Ir(2-phq)3 : Ir(ppy)3 (30nm) / TAZ (50 nm) / LiF (0.5nm) / Al (100nm)구조에서 인광 도펀트 청석, 녹색, 적색의 농도를 찾고자 하였으며, ITO 기판의 산소 플라즈마 처리를 통해 정공의 주입을 용이하게 하여 약 2배가량의 효율상승 효과를 나타내었으며, 스펙트럼은 450 nm부터 750 nm 의 전 영역을 포함하는 특성을 보였다. 또한 0.28 mA/㎠ 전류밀도 일 때 19.29 cd/A 의 최대 전류효율을 나타내었다. 또한 Ag Ink로 제작되는 양극은 발광층에서 생성된 빛이 반사되어 소자의 위쪽으로 발광(Top emission)하게 된다. 이에 음극(cathode)은 투명한 특성을 가져야만 한다. 따라서 Top emittion 발광을 위해서 Ca/Ag 투명 음전극을 사용하였다. 연구에 사용된 Ca/Ag 투명전극은 투과도 ~70% @550nm 이상으로 알려져 있는 Ca 10nm / Ag 10nm를 사용하였다. ITO / PVK : FIrpic : Ir(2-phq)3 : Ir(ppy)3 (30 nm) / TAZ (50 nm) / Ca (10 nm) / Ag (10 nm) 구조이며, 음극을 변화한 구조에서도 스펙트럼의 변화는 나타나지 않았다. Ag Ink를 양극으로 이용하고 용액공정을 기반으로 하는 고분자 인광 OLEDs 제작을 통해 18 V에서 1494 cd/㎡의 휘도가 구현되었고, 최대 전류효율은 23.9 mA/㎠ 전류밀도에서 6.27 cd/A 나타내었다. 아직까지 보고된 적 없는 Ag Ink를 양극으로 이용한 고분자 OLEDs 제작을 통해 기존 ITO 전극을 이용하였을 때의 효율특성 보다는 낮은 결과를 나타내었으나 전자잉크 (Ag Ink)를 양극으로 이용하여 고분자 OLEDs 제작의 가능성을 확인 할 수 있었다.
Printing technology is issued an alternative to overcome material loss of existing Photolithography process and the complex process, especially the competitive process is expected in the field of organic EL technology. In addition, LCD, PDP, FED, has been progressed in such applications. Printing te...
Printing technology is issued an alternative to overcome material loss of existing Photolithography process and the complex process, especially the competitive process is expected in the field of organic EL technology. In addition, LCD, PDP, FED, has been progressed in such applications. Printing technology is used electronic ink material. Electronic ink was applied to the polymer phosphorescent OLED. In this study, we have investigated the sintering of the organometallic silver electronic ink. We have changed the sintering temperature from 100 to 300℃. The sheet resistance was abruptly changed at the temperature range between 115 and 120℃, due to the crystalline silver resulting from the dissociation of Ag complex, which phenomenon has been confirmed by X-ray diffraction. The grain sizes of Ag films were about 50nm and 70nm at the sintering temperatures of 115 and 150℃, respectively. Ag ink (anode) used for polymer phosphorescent OLED (PLED) were fabricated and the effect of the composing layers on the device characteristics were investigated. The basic device structure of the polymer phosphorescent OLED was anode / emitting layer (EML) / electron transport layer (ETL) / cathode. organometallic silver electronic ink (Ag ink) layer was used anode material. For the emission layer, PVK host and FIrpic(Blue), Ir(2-phq)3(Red), Ir(ppy)3(Green) dopant were used. The TAZ layers were used a ETL. The transparent Ca/Ag double layer was used as a cathode material. After the preparation of the polymer phosphorescent OLED, the current density (J) - voltage (V) - luminance (L) and current efficiency characteristics were measured. As a result, the optimum characteristic can be achieved when the organometallic silver electronic ink, PVK : FIrpic 8%, Ir(2-phq)3 1%, Ir(ppy)3 1% 30 nm thick emission layer, and 50 nm TAZ layer were used. In this structure, We obtained the brightness of 1494 cd/㎡ at 18 V. The maximum current efficiency of this device was 6.27 cd/A at a current density of 23.9 mA/㎠.
Printing technology is issued an alternative to overcome material loss of existing Photolithography process and the complex process, especially the competitive process is expected in the field of organic EL technology. In addition, LCD, PDP, FED, has been progressed in such applications. Printing technology is used electronic ink material. Electronic ink was applied to the polymer phosphorescent OLED. In this study, we have investigated the sintering of the organometallic silver electronic ink. We have changed the sintering temperature from 100 to 300℃. The sheet resistance was abruptly changed at the temperature range between 115 and 120℃, due to the crystalline silver resulting from the dissociation of Ag complex, which phenomenon has been confirmed by X-ray diffraction. The grain sizes of Ag films were about 50nm and 70nm at the sintering temperatures of 115 and 150℃, respectively. Ag ink (anode) used for polymer phosphorescent OLED (PLED) were fabricated and the effect of the composing layers on the device characteristics were investigated. The basic device structure of the polymer phosphorescent OLED was anode / emitting layer (EML) / electron transport layer (ETL) / cathode. organometallic silver electronic ink (Ag ink) layer was used anode material. For the emission layer, PVK host and FIrpic(Blue), Ir(2-phq)3(Red), Ir(ppy)3(Green) dopant were used. The TAZ layers were used a ETL. The transparent Ca/Ag double layer was used as a cathode material. After the preparation of the polymer phosphorescent OLED, the current density (J) - voltage (V) - luminance (L) and current efficiency characteristics were measured. As a result, the optimum characteristic can be achieved when the organometallic silver electronic ink, PVK : FIrpic 8%, Ir(2-phq)3 1%, Ir(ppy)3 1% 30 nm thick emission layer, and 50 nm TAZ layer were used. In this structure, We obtained the brightness of 1494 cd/㎡ at 18 V. The maximum current efficiency of this device was 6.27 cd/A at a current density of 23.9 mA/㎠.
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