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NTIS 바로가기기존 반도체 산업에서 주로 쓰이던 DRAM, Flash memory의 공정상의 한계와 다양한 전자산업에서 고속, 고용량의 비휘발성 메모리의 요구에 따라 새로운 메모리의 연구가 다양한 형태로 진행되고 있다. 이러한 연구 중에서 특히 STT-MRAM은 고속의 read/write, Endurance, 비휘발성, 높은 신뢰성으로 universal memory로의 가능성을 가장 많이 가진 메모리로서 많은 연구가 이루어지고 있다. 이 중에서도 평면에 수직한 방향으로 자화가 배열되는 ...
저자 | 천성우 |
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학위수여기관 | 한양대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전자컴퓨터통신공학과 |
지도교수 | 이승백 |
발행연도 | 2012 |
총페이지 | 98 p. |
키워드 | 반도체 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T12685079&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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