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NTIS 바로가기반도체 산업의 발달로 트랜지스터의 집적도는 무어의 법칙에 맞추어 발전해왔으며 이와 함께 게이트의 지연시간은 게이트 길이와 같이 줄어들었으나 배선의 증가로 인해 생기는 지연시간은 늘어났다. 또한 반도체 소자의 집적도도 물리적인 한계에 부딪히고 있다. 배선으로 인한 지연시간의 증가를 더 이상 보상해주지 못한다. 이러한 집적도의 한계 및 배선의 길이 증가로 인한 지연시간을 극복하기 위해서는 새로운 배선 물질이나 배선의 길이를 줄이는 방법이 있을 것이다. 실리콘 관통 홀을 이용한 3차원 ...
저자 | 권태수 |
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학위수여기관 | 세종대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 나노공학과 |
발행연도 | 2013 |
총페이지 | 80p. |
키워드 | silicon interposer TSV graphene contact resistance plasma treatment |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T13026055&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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