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NTIS 바로가기PECVD는 공정진행과정 중에 RF(Radio Frequency) power를 이용하여 열에너지를 공급할 수 있으므로 낮은 온도와 공정을 진행할 수 있는 장비이므로 graphene을 성장시키는 과정에서 열에너지의 소모를 줄인다. 이런 PECVD의 장점을 이용하여 메탄 대 수소의 비율, RF power, 성장온도를 조절하여 800 oC, RF 100 W, 1:1의 메탄 대 수소의 비율로 single layer graphene을 합성하였다 또한, Single layer graphene의 특성을 Raman 현미경과 Top-gate field effect transistor를 제작하여 확인하였고 Double transfer 방법을 이용하여, double layer graphene을 전사하여 그 특성을 Raman 현미경과 Top-gate field effect transistor를 제작하여 검증하였다. Double layer graphene의 특성을 검증한 결과, ...
저자 | 진형기 |
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학위수여기관 | 한양대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전자컴퓨터통신공학과 |
지도교수 | 박완준 |
발행연도 | 2014 |
총페이지 | 9, 95 p. |
키워드 | 전자공학 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T13381689&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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