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NTIS 바로가기산화물 반도체 중에서도 amorphous indium-gallium-zinc-oxide(a-IGZO)는 비정질로써 좋은 균일성을 가지고 있어 대면적화하기에 적합하며, 10 cm2/V·sec 이상의 비교적 높은 이동도를 가지고 있기 때문에 현재 디스플레이 back-plane 소자로 차세대 디스플레이 산업에서 가장 유력한 대안으로 떠오르고 있다. 하지만, a-IGZO 박막트랜지스터의 경우 기존 실리콘 기반의 박막트랜지스터(thin film transistor, ...
저자 | 정승기 |
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학위수여기관 | 한양대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 신소재공학과 |
지도교수 | 최덕균 |
발행연도 | 2014 |
총페이지 | x, 78 p. |
키워드 | 재료공학 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T13381756&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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