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본 논문에서는 도플러 효과를 이용한 움직임 감지기를 X-band 통신용 송수신기 회로와 Towerjazz社의 0.18um RF용 CMOS 공정을 이용하여 구현하였다. MagnaChip社의 0.35um CMOS 공정을 사용하여 저전압 환경을 위한 스위칭 승압 회로와 의료용 기기에 응용할 수 있는 고온 탐지 회로를 설계 제작하였다. 움직임 감지기는 단일 칩만으로 15cm 가량의 탐지거리를 가지며 외부 전력을 입력받을 경우 3m의 탐지거리를 갖는다. 전압승압을 위한 PWM 주파수를 10MHz 까지 높여 ...

본 논문에서는 도플러 효과를 이용한 움직임 감지기를 X-band 통신용 송수신기 회로와 Towerjazz社의 0.18um RF용 CMOS 공정을 이용하여 구현하였다. MagnaChip社의 0.35um CMOS 공정을 사용하여 저전압 환경을 위한 스위칭 승압 회로와 의료용 기기에 응용할 수 있는 고온 탐지 회로를 설계 제작하였다. 움직임 감지기는 단일 칩만으로 15cm 가량의 탐지거리를 가지며 외부 전력을 입력받을 경우 3m의 탐지거리를 갖는다. 전압승압을 위한 PWM 주파수를 10MHz 까지 높여 인덕터 크기를 1uH 이하로 줄임으로써 쉽게 집적이 가능하도록 하였다. 고온 탐지 회로는 48℃와 84℃ 범위 내에서 히스테리시스 특성을 갖도록 하여 안정적인 동작이 가능하도록 하였다.

Abstract ▼ AI-Helper

In this thesis, a doppler motion detector is implemented by using X-band transceiver circuit topology with 0.18um RF CMOS technology. Switching step-uP circuit for low voltage operation capability and high temperature detector for medical device applications are designed 0.35um CMOS technoloey. A st...

In this thesis, a doppler motion detector is implemented by using X-band transceiver circuit topology with 0.18um RF CMOS technology. Switching step-uP circuit for low voltage operation capability and high temperature detector for medical device applications are designed 0.35um CMOS technoloey. A stable detection range of the motion detector is 15cm in stand-alone mode and can be extended up to 3m with an external RF power source. PWM frequency of switching step-up circuit is increased upto 10MHz in order to reduce the external inductance below 1uH for practical circuit implementation. Hysteresis mechanism is adouted for stable operation. The hysteresis temperature range is between 48℃ and 84℃.

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