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NTIS 바로가기The charge transfer capacity of 4-transistor CMOS image sensors can be changed owing to several factors, such as properties of materials, variations in process, and equipment conditions. When such factors cause the photodiode full well potential to change, charges generated from the incident light i...
저자 | 박거성 |
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학위수여기관 | 高麗大學校 大學院 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 電氣電子工學科 |
지도교수 | 成萬永 |
발행연도 | 2015 |
총페이지 | xii, 63장 |
키워드 | CMOS 이미지 센서 웨이퍼 절단 각도 전하 전송 CMOS Image Sensor slicing angle charge transfer |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T13838692&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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