최근 반도체 산업은 메모리 반도체 소자의 선폭이 14 nm급인 제품을 생산하기 시작했다. 소자의 선폭이 점점 작아지면서, 소자의 구조를 손상 없이 측정하는 것은 매우 어려워졌다. 그 대안으로 제시된 광학적인 측정 방법 중 하나인 타원편광분석법은 비파괴적이며, 상대적으로 저렴한 비용, 높은 정밀도 등의 장점을 가진 것으로 주목을 받고 있다. 그리고 rigorous coupled-wave analysis (RCWA) 계산 방법은 주기적인 구조에 대해서 ...
최근 반도체 산업은 메모리 반도체 소자의 선폭이 14 nm급인 제품을 생산하기 시작했다. 소자의 선폭이 점점 작아지면서, 소자의 구조를 손상 없이 측정하는 것은 매우 어려워졌다. 그 대안으로 제시된 광학적인 측정 방법 중 하나인 타원편광분석법은 비파괴적이며, 상대적으로 저렴한 비용, 높은 정밀도 등의 장점을 가진 것으로 주목을 받고 있다. 그리고 rigorous coupled-wave analysis (RCWA) 계산 방법은 주기적인 구조에 대해서 전자기파의 회절을 묘사하는 방법으로 널리 이용되며, 그 동안 비파괴적으로 광 특성을 측정할 수 있는 타원편광분석법과 RCWA 를 결합하여 주기적인 나노 구조에 대한 보편적인 연구는 활발히 진행되어 왔다. 하지만 아직 복잡한 3차원 구조물에 대한 연구는 여전히 미비하기에, 본 연구에서는 주기적으로 이루어진 복 잡한 3차원 구조물에 대한 분석을 RCWA 방법을 통한 계산으로 예측 할 수 있음을 보이고, nm 수준의 변화에 대한 유전률 함수의 민감도를 보고자 한다. 우리는 몇 가지 예상되는 복잡한 3차원 구조물을 모델로 삼아 폭, 너비, 형태, 등 nm 단위로 변화를 준 상태로 RCWA 방법으로 계산하였고, 그 결과, 구조물에 대한 광 특성의 변화를 확인 할 수 있었다.
최근 반도체 산업은 메모리 반도체 소자의 선폭이 14 nm급인 제품을 생산하기 시작했다. 소자의 선폭이 점점 작아지면서, 소자의 구조를 손상 없이 측정하는 것은 매우 어려워졌다. 그 대안으로 제시된 광학적인 측정 방법 중 하나인 타원편광분석법은 비파괴적이며, 상대적으로 저렴한 비용, 높은 정밀도 등의 장점을 가진 것으로 주목을 받고 있다. 그리고 rigorous coupled-wave analysis (RCWA) 계산 방법은 주기적인 구조에 대해서 전자기파의 회절을 묘사하는 방법으로 널리 이용되며, 그 동안 비파괴적으로 광 특성을 측정할 수 있는 타원편광분석법과 RCWA 를 결합하여 주기적인 나노 구조에 대한 보편적인 연구는 활발히 진행되어 왔다. 하지만 아직 복잡한 3차원 구조물에 대한 연구는 여전히 미비하기에, 본 연구에서는 주기적으로 이루어진 복 잡한 3차원 구조물에 대한 분석을 RCWA 방법을 통한 계산으로 예측 할 수 있음을 보이고, nm 수준의 변화에 대한 유전률 함수의 민감도를 보고자 한다. 우리는 몇 가지 예상되는 복잡한 3차원 구조물을 모델로 삼아 폭, 너비, 형태, 등 nm 단위로 변화를 준 상태로 RCWA 방법으로 계산하였고, 그 결과, 구조물에 대한 광 특성의 변화를 확인 할 수 있었다.
Recently, several manufacturers succeeded production of memory devices with 14nm features. As the size of structure decreases, it is difficult to analyze the property of the structure without damaging the structure. Therefore, much attention was focused on the determining the properties of these str...
Recently, several manufacturers succeeded production of memory devices with 14nm features. As the size of structure decreases, it is difficult to analyze the property of the structure without damaging the structure. Therefore, much attention was focused on the determining the properties of these structures optically, so called nondestructive method. So we adopted Rigorous Coupled-Wave Analysis (RCWA) method to ellipsometric analysis, and simulated several models to determine the availability of the RCWA method. We performed RCWA of 3 dimensional nanostructures to figure out optical properties and their dependence on structural parameters, such as height, width, and shape, etc. We modeled 3 dimensional structures for determining the critical dimension (CD) of periodic structures, which can be compared with traditional method for structure analysis, such as AFM. To investigate the advantages for the RCWA method, we compared with traditional ellipsometric method (effective medium approximation) and analyzed the sensitivity of structural parameters.
Recently, several manufacturers succeeded production of memory devices with 14nm features. As the size of structure decreases, it is difficult to analyze the property of the structure without damaging the structure. Therefore, much attention was focused on the determining the properties of these structures optically, so called nondestructive method. So we adopted Rigorous Coupled-Wave Analysis (RCWA) method to ellipsometric analysis, and simulated several models to determine the availability of the RCWA method. We performed RCWA of 3 dimensional nanostructures to figure out optical properties and their dependence on structural parameters, such as height, width, and shape, etc. We modeled 3 dimensional structures for determining the critical dimension (CD) of periodic structures, which can be compared with traditional method for structure analysis, such as AFM. To investigate the advantages for the RCWA method, we compared with traditional ellipsometric method (effective medium approximation) and analyzed the sensitivity of structural parameters.
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