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전력반도체는 전력변환장치를 구성하고 있는 핵심 소자로 전력변환장치의 성능을 좌우하게 된다고 해도 과언이 아니다. 전력반도체 재료는 Si이 사용되어 왔고, 현재 반도체 재료 물성적 한계로 인해 더 이상의 성능 향상을 기대하기 어려운 실정이다.
SiC는 기존의 Si보다 전력반도체로서 뛰어난 물성을 가지고 있다. 따라서 SiC MOSFET는 Si MOSFET보다 향상된 성능을 지니고 있으며, 현재 전력반도체의 주력으로 사용되고 있는 Si 전력반도체를 대체할 차세대 전력반도체로 주목 받고 있다.
따라서 본 논문에서는 SiC MOSFET를 이용하여 ...
저자 | 차재석 |
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학위수여기관 | 창원대학교 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 메카트로닉스공학부(전기공학전공) |
지도교수 | 안호균 |
발행연도 | 2016 |
총페이지 | vi, 59장 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T14071225&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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