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NTIS 바로가기본 논문은 캐스코드 GaN HEMT를 적용한 LLC 공진형 컨버터에 관한 연구이다. GaN HEMT는 도통손실에 영향을 주는 온 저항 RDS(on)과 스위칭 속도에 영향을 주는 총 게이트 전하량 Qg가 기존의 Si MOSFET에 비해 매우 낮은 특성을 보임으로써 이를 ...
저자 | 이동현 |
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학위수여기관 | 한양대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전자시스템공학과 |
지도교수 | 김희준 |
발행연도 | 2017 |
총페이지 | 56 p. |
키워드 | 전자공학 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T14385357&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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