본 논문은 열적 안정성, 좋은 전기적 특성, 높은 부식저항, 강한 hardness 등의 뛰어난 특성을 가지며 확산방지막, hard coating 분야 등에 사용되는 질화 Zr (Zirconium) 박막을 질소유량 변화와 열처리 온도를 변화시켜 제작 하였다. 질소유량 변화가 작은 부분인 0.25, 0.75, 1.25, 2.5, 3.75% 와 질소유량 변화가 큰 부분인 5, 10, 15, 20%까지 변화를 주었으며 열처리는 500℃부터 100℃씩 증가시켜 800℃까지 진행 하였다. ...
본 논문은 열적 안정성, 좋은 전기적 특성, 높은 부식저항, 강한 hardness 등의 뛰어난 특성을 가지며 확산방지막, hard coating 분야 등에 사용되는 질화 Zr (Zirconium) 박막을 질소유량 변화와 열처리 온도를 변화시켜 제작 하였다. 질소유량 변화가 작은 부분인 0.25, 0.75, 1.25, 2.5, 3.75% 와 질소유량 변화가 큰 부분인 5, 10, 15, 20%까지 변화를 주었으며 열처리는 500℃부터 100℃씩 증가시켜 800℃까지 진행 하였다. 증착은 RF magnetron sputter를 이용하였으며 후 열처리는 furnace를 이용해 질소 분위기로 열처리를 진행 하였다. 제작된 박막들은 four-point probe, α-step , nano-indenter, XRD, WET-SPM, ellipsometer, FT-IR을 이용해 물성 특성을 측정 하였다.
본 논문은 열적 안정성, 좋은 전기적 특성, 높은 부식저항, 강한 hardness 등의 뛰어난 특성을 가지며 확산방지막, hard coating 분야 등에 사용되는 질화 Zr (Zirconium) 박막을 질소유량 변화와 열처리 온도를 변화시켜 제작 하였다. 질소유량 변화가 작은 부분인 0.25, 0.75, 1.25, 2.5, 3.75% 와 질소유량 변화가 큰 부분인 5, 10, 15, 20%까지 변화를 주었으며 열처리는 500℃부터 100℃씩 증가시켜 800℃까지 진행 하였다. 증착은 RF magnetron sputter를 이용하였으며 후 열처리는 furnace를 이용해 질소 분위기로 열처리를 진행 하였다. 제작된 박막들은 four-point probe, α-step , nano-indenter, XRD, WET-SPM, ellipsometer, FT-IR을 이용해 물성 특성을 측정 하였다.
Here, Zirconium nitride thin films, which can be used as diffusion barrier and hard coating films with excellent properties such as thermal stability, good electrical properties, high corrosion resistance and high hardness, have been prepared and investigated as a function of N2 gas flow rate and an...
Here, Zirconium nitride thin films, which can be used as diffusion barrier and hard coating films with excellent properties such as thermal stability, good electrical properties, high corrosion resistance and high hardness, have been prepared and investigated as a function of N2 gas flow rate and annealing temperature. Zirconium nitride thin films were deposited by RF magnetron sputter and the post-annealing was performed in nitrogen atmosphere using a furnace. The N2 gas flow rate was varied as 0.25, 0.75, 1.25, 2.5, 3.75, 5, 10, 15 and 20%, and the post-annealing temperature increased from 500℃ to 800℃. The physical properties of the prepared thin films were measured by four-point probe, α-step, nano-indenter, XRD, WET-SPM, ellipsometer and FT-IR.
Here, Zirconium nitride thin films, which can be used as diffusion barrier and hard coating films with excellent properties such as thermal stability, good electrical properties, high corrosion resistance and high hardness, have been prepared and investigated as a function of N2 gas flow rate and annealing temperature. Zirconium nitride thin films were deposited by RF magnetron sputter and the post-annealing was performed in nitrogen atmosphere using a furnace. The N2 gas flow rate was varied as 0.25, 0.75, 1.25, 2.5, 3.75, 5, 10, 15 and 20%, and the post-annealing temperature increased from 500℃ to 800℃. The physical properties of the prepared thin films were measured by four-point probe, α-step, nano-indenter, XRD, WET-SPM, ellipsometer and FT-IR.
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