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NTIS 바로가기본 논문에서는 반도체의 게이트 산화막을 개선하여 반도체의 특성을 개선하기 위한 두 가지 연구에 관한 내용을 다루고 있다. 첫 번째 연구는 4H-SiC를 이용한 소자의 특성 개선 실험을 진행하였다. 4H-SiC는 우수한 특성 덕분에 고출력, 고주파수, 고전력 및 고온이 요구하는 환경에서 설계가 가능하다. 그러나 4H-SiC 소자는 높은 계면 결함 밀도와 낮은 채널 이동도라는 단점을 가지고 있다. 따라서 이를 개선하기 위한 연구가 요구된다. 황 패시베이션 처리를 이용해 4H-SiC 반도체의 계면 특성을 개선하고 ...
저자 | 최강민 |
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학위수여기관 | 명지대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전기공학과 |
발행연도 | 2017 |
총페이지 | ⅲ, 37 p. |
키워드 | 실리콘 실리콘 카바이드 게이트 산화막 Al2O3 SiO2 원자층 증착법 DIPAS |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T14536402&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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