초록 ▼

용어보기논문에서 용어와 풀이말을 자동 추출한 결과로, 시범 서비스 중입니다. AI-Helper

ImSn(immersion tin)은 구리와 주석의 금속 전위차를 이용한 치환 주석도금으로서 전자 부품 기판에 많이 적용되는 표면처리 종류 중의 하나이다. ImSn은 환경 및 전자 부품에서 Pb의 사용 제한 등으로 인해 많은 관심을 가지고 있는 표면처리 기법이다. 그러나 ImSn은 Tin 뭉침(Self-dewetting)이라고 하는 불량으로 인해 ...

ImSn(immersion tin)은 구리와 주석의 금속 전위차를 이용한 치환 주석도금으로서 전자 부품 기판에 많이 적용되는 표면처리 종류 중의 하나이다. ImSn은 환경 및 전자 부품에서 Pb의 사용 제한 등으로 인해 많은 관심을 가지고 있는 표면처리 기법이다. 그러나 ImSn은 Tin 뭉침(Self-dewetting)이라고 하는 불량으로 인해 품질 비용 상승 및 ImSn의 사용이 제한되는 등의 문제점을 가지고 있다. 따라서 본 논문에서는 self de-wetting의 발생인자를 파악하고 또한 발생인자를 통해 발생 메커니즘 제안 및 규명하여 ImSn의 품질 비용을 최소화할 수 있는 방법을 제안하고자 한다.
Self de-wetting은 부품이 실장이 되지 않은 주석표면에서 SMT(Surface mount technology)후 pad에서 self de-wetting으로서 기능성 불량이 아닌 외관불량이다. 이러한 self de-wetting의 발생인자는 주석 두께 및 플럭스의 존재 유무에 따라 발생하는 것을 확인 할 수 있었으며, 이러한 인자를 이용한 self de-wetting에 대한 메커니즘에 대하여 규명하였다.
Self de-wetting의 발생 메커니즘은 불균일하게 형성된 주석의 산화막이 용해 되는 과정에서 불균일한 산화막 두께로 인해 노출된 주석의 산화막과 증기화된 플럭스가 반응하여 산화막이 용해되는 과정에서 불균일한 산화막 두께로 인해 노출된 주석의 용해와 결정화로 인해 표면이 불균일한 현상으로 나타나는 것으로 판단하였다. 따라서 이러한 메커니즘에 기반을 두고 문제해결을 위한 다양한 방법을 도출하여 여러 방법에 대해 실험적으로 분석하였다.
주석 도금 후 표면의 주석 산화층의 두께를 7nm이상으로 형성할 경우 self de-wetting 불량을 억제 또는 제거할 수 있는 것을 확인할 수 있었다. 그러나 산화층의 두께를 7nm 이상 형성할 경우 부품의 실장 면에서 기능성 불량인 de-wetting 현상이 관찰되었다. 현장에 적용하기 위해서는 직접적으로 주석 표면의 산화층의 두께를 올리는 것은 문제가 있으며, 따라서 산업현장에서 self de-wetting 현상을 제거하기 위해 선택적인 방법을 이용하여 산화층 제어를 통해 문제 해결이 가능할 것으로 판단한다.

Abstract ▼ AI-Helper

ImSn (immersion tin) is one of the types of surface treatments applied to electronic component substrates as a substitution tinning using the difference in metal potential between copper and tin. ImSn is a surface treatment technique that has a lot of interest due to limitation of Pb use
in envi...

ImSn (immersion tin) is one of the types of surface treatments applied to electronic component substrates as a substitution tinning using the difference in metal potential between copper and tin. ImSn is a surface treatment technique that has a lot of interest due to limitation of Pb use
in environment and electronic parts. However, ImSn has problems such as increase in quality cost and limitation of use of ImSn due to a defect called self-dewetting. Therefore, in this paper, we propose a method to minimize
the quality cost of ImSn by identifying the occurrence factors of self de-wetting, and by suggesting and identifying the generation mechanism through the occurrence factors.
Self de-wetting is not a malfunction but a bad appearance that is a self de-setting on the pad after SMT (surface mount technology) on the tin surface where the part is not mounted. It was confirmed that the generation factor of self-wetting occurs depending on the presence or absence of tin thickness and flux, and the mechanism of self de-wetting using these factors has been clarified.
It was judged that the mechanism of sel de-wetting occurs when the tin oxide film exposed due to the non-uniform thickness of the oxide film and the vaporized flux are reacted in the process of dissolving the unevenly formed tin oxide film, and the dissolution and crystallization of the exposed tin occurs. Therefore, based on these mechanisms, various methods for problem solving are derived, and various methods are experimentally analyzed.
It was confirmed that self de-wetting failure can be suppressed or eliminated when the thickness of the tin oxide film on the surface after tin plating is 7 nm or more. However, when the thickness of the oxide film is 7 nm or more, a functional defective de-wetting phenomenon is observed on the mounting of the component side. Raising the thickness of the oxide film directly on the tin surface in order to be applied to the field is problematic. Thus, it is considered that the problem can be solved through the oxide film control by using an optional method to eliminate the self de-wetting phenomenon in the industrial field.

주제어