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NTIS 바로가기본 연구는 산화 알루미늄 확산층을 이용하여 Indium Zinc Oxide (IZO) TFT의 안정성 향상에 관해 이야기 한다. 기본이 되는 IZO TFT의 경우 용액 공정과 Radio Frequency magnetron sputtering을 이용하여 20nm 두께로 증착하였다. 먼저, 용액 공정 IZO의 경우 금속의 비율을 ...
저자 | 황남경 |
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학위수여기관 | 부산대학교 대학원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전기전자컴퓨터공학과 |
지도교수 | 이문석 |
발행연도 | 2018 |
총페이지 | v, 41 장 |
키워드 | 산화물 반도체 Indium Zinc Oxide Thin film transistor 박막 트랜지스터 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T14782687&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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