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NTIS 바로가기본 연구에서는 실리콘 원자의 박막 내 산소빈자리(Oxygen vacancy) 억제 능력을 채널층과 절연층에 모두 적용하여 Oxide TFT의 성능과 안정성 향상시키고자 하였다. SiO2 절연막이 성장된 실리콘 웨이퍼 위로 ...
저자 | 임유성 |
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학위수여기관 | 부산대학교 대학원 |
학위구분 | 국내박사 |
학과 | 전기전자컴퓨터공학과 |
지도교수 | 이문석 |
발행연도 | 2020 |
총페이지 | vi, 66 장 |
키워드 | Oxide TFT Zn Oxide IZO TFT SIZO TFT 전기전자컴퓨터공학 실리콘웨이퍼 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T15665655&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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