원자층증착법은 전구체의 자기제한적 화학 흡착 덕분에 얇은 박막의 두께를 옹스트롱 수준으로 조절할 수 있지만, 낮은 사이클 당 성장속도는 극복하기 힘든 원자층증착법의 문제로 인식되었다. 트리메틸알루미늄과 물을 이용한 산화알루미늄 원자층증착법에 관한 많은 연구에도 불구하고, 사이클 당 성장속도는 1.0~1.3 Å/cycle 수준에 머물렀다. 이 연구에서는 산화알루미늄 원자층증착법에서 트리메틸알루미늄의 공급을 나눔으로써 사이클당 성장속도를 높일 수 있는 방법을 보고한다. 박막 증착 중 실시한 ...
원자층증착법은 전구체의 자기제한적 화학 흡착 덕분에 얇은 박막의 두께를 옹스트롱 수준으로 조절할 수 있지만, 낮은 사이클 당 성장속도는 극복하기 힘든 원자층증착법의 문제로 인식되었다. 트리메틸알루미늄과 물을 이용한 산화알루미늄 원자층증착법에 관한 많은 연구에도 불구하고, 사이클 당 성장속도는 1.0~1.3 Å/cycle 수준에 머물렀다. 이 연구에서는 산화알루미늄 원자층증착법에서 트리메틸알루미늄의 공급을 나눔으로써 사이클당 성장속도를 높일 수 있는 방법을 보고한다. 박막 증착 중 실시한 질량분석기 데이터에 의하면, 높은 사이클 당 성장속도는 낮은 온도에서 트리메틸알루미늄의 단량체-이합체 평형이 이합체 쪽으로 이동하기 때문으로 추론할 수 있다.
원자층증착법은 전구체의 자기제한적 화학 흡착 덕분에 얇은 박막의 두께를 옹스트롱 수준으로 조절할 수 있지만, 낮은 사이클 당 성장속도는 극복하기 힘든 원자층증착법의 문제로 인식되었다. 트리메틸알루미늄과 물을 이용한 산화알루미늄 원자층증착법에 관한 많은 연구에도 불구하고, 사이클 당 성장속도는 1.0~1.3 Å/cycle 수준에 머물렀다. 이 연구에서는 산화알루미늄 원자층증착법에서 트리메틸알루미늄의 공급을 나눔으로써 사이클당 성장속도를 높일 수 있는 방법을 보고한다. 박막 증착 중 실시한 질량분석기 데이터에 의하면, 높은 사이클 당 성장속도는 낮은 온도에서 트리메틸알루미늄의 단량체-이합체 평형이 이합체 쪽으로 이동하기 때문으로 추론할 수 있다.
Although atomic layer deposition (ALD) has an excellent advantage of precisely controlling the thickness of thin film at the atomic scale owing to the self-limiting chemisorption of precursors, low growth per cycle (GPC, i.e., the thickness increment per cycle) is a fatal weakness. Despite extensive...
Although atomic layer deposition (ALD) has an excellent advantage of precisely controlling the thickness of thin film at the atomic scale owing to the self-limiting chemisorption of precursors, low growth per cycle (GPC, i.e., the thickness increment per cycle) is a fatal weakness. Despite extensive researches on ALD of Al2O3 using trimethylaluminum (TMA) and H2O as precursors of Al and O, respectively, the GPC of the ALD of Al2O3 is limited to 1.0~1.3 Å/cycle depending on the growth temperature. Here we report that higher GPC values in ALD of Al2O3 can be achieved at low growth temperatures by simply splitting the dose of TMA in the sequence of Al2O3 ALD. According to our in-situ mass spectrometric study, the enhancement of the GPC is attributed to the presence of chemical equilibrium between monomeric and dimeric molecules of TMA which shifts toward the dimeric form at lower temperature.
Although atomic layer deposition (ALD) has an excellent advantage of precisely controlling the thickness of thin film at the atomic scale owing to the self-limiting chemisorption of precursors, low growth per cycle (GPC, i.e., the thickness increment per cycle) is a fatal weakness. Despite extensive researches on ALD of Al2O3 using trimethylaluminum (TMA) and H2O as precursors of Al and O, respectively, the GPC of the ALD of Al2O3 is limited to 1.0~1.3 Å/cycle depending on the growth temperature. Here we report that higher GPC values in ALD of Al2O3 can be achieved at low growth temperatures by simply splitting the dose of TMA in the sequence of Al2O3 ALD. According to our in-situ mass spectrometric study, the enhancement of the GPC is attributed to the presence of chemical equilibrium between monomeric and dimeric molecules of TMA which shifts toward the dimeric form at lower temperature.
주제어
#ALD(atomic layer deposition) Al2O3 GPC(growth per cycle) split-exposure ALD
학위논문 정보
저자
함소연
학위수여기관
건국대학교 대학원
학위구분
국내석사
학과
화학공학과
지도교수
민요셉
발행연도
2019
총페이지
40
키워드
ALD(atomic layer deposition) Al2O3 GPC(growth per cycle) split-exposure ALD
AI-Helper
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.