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NTIS 바로가기기존의 Buried Channel Array Transistor(BCAT) 구조의 Storage Node(SN) 영역 하부에 절연체를 고립시켜 고집적, 고신뢰성에 적합한 새로운 구조를 개발하여 전기적인 특성에 관한 연구를 수행하였다. 이 소자의 가장 큰 장점은 고립된 절연체 내부에서 발생하는 ...
A new structure suitable for high integration and high reliability, which isolated a partial insulator below the storage node of the conventional Buried Channel Array Transistor(BCAT) structure is proposed and it is shown that the structure has improvement in gate-induced drain leakage (GIDL) by the...
저자 | 박진효 |
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학위수여기관 | 전남대학교 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | ICT융합시스템공학과 집적소자 |
지도교수 | 이명진 |
발행연도 | 2022 |
총페이지 | 45 |
키워드 | Dynamic Random Access Memory(DRAM) Partial isolation type Buried Channel Array Transistor(Pi-BCAT) gate-induced drain leakage(GIDL) band-to-band tunneling(BTBT) trap-assisted tunneling(TAT) row hammer effect(RHE) |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T16153578&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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