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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.33 no.5, 2020년, pp.427 - 431
서동현 (한국세라믹기술원 에너지환경본부) , 김용현 (한국세라믹기술원 에너지환경본부) , 신윤지 (한국세라믹기술원 에너지환경본부) , 이명현 (한국세라믹기술원 에너지환경본부) , 정성민 (한국세라믹기술원 에너지환경본부) , 배시영 (한국세라믹기술원 에너지환경본부)
In this research, we evaluated the electrical properties of polycrystalline-gallium-oxIde (Ga2O3) thin films grown by mist-CVD. A 500~800 nm-thick Ga2O3 film was used as a channel in a fabricated bottom-gate MOSFET device. The phase stability of the β-phase Ga2O3 layer was enhanced by an anne...
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핵심어 | 질문 | 논문에서 추출한 답변 |
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산화갈륨의 전기적 특성을 확인하기 위해 홀 측정 방법을 사용할 경우 단점은? | 증착된 산화갈륨의 전기적 특성을 확인하기 위해서는 일반적으로 홀(Hall) 측정 방법을 사용한다. 홀 측정은 전류가 흐르는 박막에 수직으로 자기장이 형성될 때 발생하는 홀 전압을 측정하여 박막의 이동도 [14], 캐리어 농도, 비저항 등의 여러 전기적 특성을 평가할 수 있다는 장점이 있지만, 샘플과 측정 장비 사이의 오믹 접촉(ohmic contact) 정도와 샘플의 크기, 두께, 균일성, 측정 환경의 온도, 자기장 등의 요인에 따라 측정 신뢰도가 떨어진다는 단점이 있다. 또한 박막이 실제 소자에 응용되었을 때 전기적 특성이 변할 수 있다. | |
산화갈륨은 성장 조건에 따라 어떻게 분류되는가? | 9 eV)과 높은 임계전압(약 8 MV/cm)을 갖고 있는 반도체 재료로써 ultra wide band gap (UWBG) 소자의 재료로 사용하기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다 [1-4]. 산화갈륨은 성장 조건에 따라 알파, 베타, 감마, 델타, 입실론 다섯 가지의 상으로 분류되는데 그중에서도 베타상 산화갈륨은 높은 전도성을 갖고 있으며 고온에서 가장 안정하다 [5]. 이러한 이유로 다른 상의 산화갈륨을 열처리 공정을 통해 베타상 산화갈륨으로 상전이 시킬 수 있다 [6,7]. | |
베타상 산화갈륨을 n-channel 반도체 재료로 사용할 수 있는 이유는? | 이러한 이유로 다른 상의 산화갈륨을 열처리 공정을 통해 베타상 산화갈륨으로 상전이 시킬 수 있다 [6,7]. 특히 베타상 산화갈륨은 도핑 공정 없이도 결정구조 상의 oxygen vacancy로 인한 n-type 전도 특성을 갖고 있으므로 n-channel 반도체 재료로 사용할 수 있다 [8-10]. 산화갈륨 박막을 형성하기 위해서는 HVPE, MBE, MOCVD, RF sputter 등이 널리 쓰이는데, 이번 연구에서는 무 진공 상압에서 수용액을 분무시켜 기판과의 반응으로 박막을 증착시키는 Mist-CVD 방식을 채택하였다 [11-13]. |
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오픈액세스 학술지에 출판된 논문
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