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NTIS 바로가기전기학회지= The Processing of the Institute of Electrical Engineers, v.14 no.6, 1965년, pp.1 - 7
정만영 ( )
This paper provides the analysis of the differential amplifier using the insulated gate, metala-oxide-semiconductor type field-effect-transistor(MOS FET), for its active element and the power drift of the amplifer. From these analytical considerations some design standardsn were found for the MOS FE...
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