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NTIS 바로가기한국결정학회지 = Korean journal of crystallography, v.1 no.2, 1990년, pp.115 - 125
We have investigated bulk and hetero-epitaxial growth of GaAs single crystal. Various growth techniques such as HB, HZM, and VGF for high quality bulk GaAs were successfully developed by appling the specially designed DM(direct monitoring) furnace. Al GaAs/GaAs superlattice structure and In(x)Ga(1-x...
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