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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology |
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연구책임자 | 민석기 |
참여연구자 | 김현수 , 김무성 , 김은규 , 김용태 , 박승철 , 한철원 , 박용주 , 김용 , 조훈영 , 엄경숙 , 김성일 , 김춘근 , 심광보 , 박찬용 , 이호섭 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1990-07 |
주관부처 | 과학기술부 |
과제관리전문기관 | 한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200200004225 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 갈륨비소.단결정 성장.이종접합.수직온도구매냉각.수소화.GaAs.Crystal Growth.VGF.HZM.GaAs-On-Si.MOCVD. |
VGF(Vertical Gradient Freeze)법을 이용한 GaAs 단결정 성장연구를 하였다. 기존의 직경 1인치 결정성장 장치의 미비점을 개선시키고 Si-Doped N형 및 In,Zn-Doped P형의 GaAs 단결정을 성장시켜 저결함 특성과 전기광학적 특성을 보았다. 또 직경 2인치 결정성장용 VGF장치를 새로 제작하여 시험성장 연구를 하였다. 한편 HZM(Horizontal Zone Melt) 성장장치를 제작하여 GaAs:In 단결정을 성장시켰으며 잉고트 전체의 약 80% 범위에서 매우 고른 전기적 특성을 보여 균질성 면
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