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NTIS 바로가기주관연구기관 | 한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology |
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연구책임자 | 민석기 |
참여연구자 | 김무성 , 김현수 , 김용태 , 김은규 , 박승철 , 한철원 , 박용주 , 조훈영 , 김용 , 엄경숙 , 김성일 , 김춘근 , 심광보 , 윤주훈 |
발행국가 | 대한민국 |
언어 | 한국어 |
발행년월 | 1989-06 |
주관부처 | 과학기술부 |
연구관리전문기관 | 한국과학기술연구원 Korea Institute Of Science and Technology |
등록번호 | TRKO200200000952 |
DB 구축일자 | 2013-04-18 |
키워드 | 화합물 반도체.결정성장.이종접합.GaAs.Crystal growth.VGF.GaAs-on Si. |
DM 전기로를 사용하여 VGF 결정성장장치를 제작하였다. 이 장치의 특징은 결정성장 전과정의 온도제어를 자동화한 것과 고온가열및 냉각반응 속도를 단축시키고 결정성장시로의 내부를 육안으로 관찰할 수 있는 점등이다. 이 장치를 이용하여 직경 1인치,길이 10cm의 Undoped GaAs 원형 단결정을 성장시키고 전위밀도를 측정한 결과 약 5000개/cm²이하로서 기존의 LEC 및 HB GaAs보다 더 양질의 단결정을 얻을 수 있음을 확인하였다. 또 MOCVD 법에 의해 실리콘 기판위에 GaAs 에피결정을 성장하고 성장층의 표면상태,결정
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