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$TEOS/O_3$ BPSG 막내의 Boron과 Phosphorus의 Stability 향상
Improvement in Stability of Boron and Phosporus in $TEOS/O_3$ BPSG Films 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.4 no.S1, 1995년, pp.151 - 156  

정석철 (금성일렉트론(주) 선행공정실) ,  김완식 (금성일렉트론(주) 선행공정실) ,  박래학 (금성일렉트론(주) 선행공정실) ,  박진원 (금성일렉트론(주) 선행공정실) ,  나관구 (금성일렉트론(주) 선행공정실) ,  김우식 (금성일렉트론(주) 선행공정실)

초록
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0.5$\mu$m 이하 급의 device에서 TEOS/O3 BPSG 박막을 층간절연막(Interlayer Dielectric)으로 사용하여, 평탄화를 위해 etchback 공정을 적용할 때 BPSG 박막이 가지는 구조적, 화학적 불안정성으로 인해 B,P 농도의 변화나 crack 발생 현상이 일어날 수 있다. 본 실험에서는 이러한 현상을 억제하기 위해 농도를 달리한 이층막의 증착, PR strip 시에 사용하는 wet chemical의 변경 및 증착후 치밀화(densificaiton)공정추가 등의 방법을 사용하였으며, 이에 따른 박막 특성의 변화를 조사하였다.

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