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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.32A no.12, 1995년, pp.159 - 165
최진혁 (서울대학교 전자공학과) , 박영준 (서울대학교 전자공학과) , 민홍식 (서울대학교 전자공학과)
A gate-recessed structure is introduced to SOI MOSFET's in order to increase the source-to-drain breakdown voltage. A significant increase in the breakdown voltage is observed compared with that of a planar single source/drain SOI MOSFET without inducing the appreciable reduction of the current driv...
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