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NTIS 바로가기한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.5 no.7, 1995년, pp.820 - 828
윤강중 (한양대학교 금속공학과) , 전형탁 (한양대학교 금속공학과)
Ti-sillcides are formed on an atomically clean Si substrate and its phase transition and surface and interface morphologies are examined depending on the Ti-film thicknesses, deposition temperatures and Si substrate orientations. Ti film thicknesses of 400
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