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NTIS 바로가기요업학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society, v.33 no.5, 1996년, pp.572 - 582
김석 (연세대학교 세라믹공학과) , 최두진 (연세대학교 세라믹공학과)
The porous silicon was prepared in the condition of 70mA/cm2 and 5.10 sec and then oxidized at 800~110
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