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실리콘 식각 공정시 발생하는 격자결함 관찰 및 제거동향 연구
Lattice Damage Produced during Silicon Etch Process and Its Recovery Phenomena 원문보기

한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.6 no.5, 1996년, pp.524 - 531  

원대희 (성균관대학교 재료공학과) ,  이주훈 (성균관대학교 재료공학과) ,  김지형 (성균관대학교 재료공학과) ,  염근영 (성균관대학교 재료공학과) ,  이주욱 (한국과학기술원 전자재료공학과) ,  이정용 (한국과학기술원 전자재료공학과)

초록
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차세대 소자고립구조로서 연구되고 있는 trench isolation 공정 등에는 실리콘 식각이 요구되며 실리콘 식각 공정중에는 반응성 이온에 의해 격자결함이 발생할 수 있다. 이와같이 생성된 결함은 소자의 전기적 성질을 열화시키므로 열처리를 통하여 제거하여야만 한다. 따라서 본 연구에서는 Ar,Ar/H2 플라즈마로 격자결함을 인위적으로 발생시켜 20$0^{\circ}C$-110$0^{\circ}C$ 질소분위기에서 30분간 열처리에 따른 생성된 격자결함의 소거거동을 관찰하였다. 실리콘 표면에 Schottky 다이오드를 제작하여 I-V, C-V 특성을 측정하므로써 잔류하는 전기적인 손상의 정도를 평가하였다. Ar으로 식각한 경우에는 110$0^{\circ}C$ 30분간 열처리한 결과 모든 격자결함이 제거되나 Ar/H2로 식각한 경우에는 격자결함이 완전히 제거되지 않고 (111)적층결함이 남아있었다.

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