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NTIS 바로가기한국통신학회논문지 = The journal of the Korean institute of communication science, v.22 no.10, 1997년, pp.2123 - 2135
김대익 (전북대학교 전기전자회로합성연구소) , 배성환 (전북대학교 공과대학 전자공학과) , 전병실 (전북대학교 공과대학 전기전자제어공학부)
In this paepr, we consider resistive shorts on drain-source, drain-gate, and gate-source as well as opens in MOSFETs included in typical memory cell of VLSI SRAM. Behavior of memeory is observed by analyzing voltage at storage nodes of memeory and IDDQ(quiescent power supply current) through PSPICE ...
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