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NTIS 바로가기전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.11 no.10, 1998년, pp.918 - 923
이현중 (인하대학교 전자재료공학과) , 이경택 (해태전자 통신연구 3팀) , 박세근 (인하대학교 전자재료공학과) , 박우상 (인하대학교 전자재료공학과) , 김형준 (홍익대학교 금속재료공학과)
Poly-silicon thin film transistors were fabricated on quartz substrates by high temperature processes. Electrical characteristics were measured and compared for 3 transistor structures of Standard Inverted Gate(SIG), Lightly Doped Drain(LDD), and Dual Gate(DG). Leakage currents of DG and LDD TFT's w...
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