[논문]Chemical Mechanical Polishing (CMP) 공정을 이용한 Mutilevel Metal 구조의 광역 평탄화에 관한 연구

김상용; 서용진; 김태형; 이우선; 김창일; 장의구

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Chemical Mechanical Polishing (CMP) 공정을 이용한 Mutilevel Metal 구조의 광역 평탄화에 관한 연구
A Study for Global Planarization of Mutilevel Metal by CMP 원문보기

전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, v.11 no.12, 1998년, pp.1084 - 1090

김상용 (중앙대학교 전자전기공학부) , 서용진 (대불대학교 전기전자공학부) , 김태형 (여주대 전기과) , 이우선 (조선대학교 전기공학과) , 김창일 (중앙대학교 전기전자공학부) , 장의구 (중앙대학교 전기전자공학부)

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As device sizes are scaled down to submicron dimensions, planarization technology becomes increasingly important for both device fabrication and formation of multilevel interconnects. Chemical mechanical polishing (CMP) has emerged recently as a new processing technique for achieving a high degree of planarization for submicron VLSI applications. The polishing process has many variables, and most of which are not well understood. The factors determine the planarization performance are slurry and pad type, insert material, conditioning technique, and choice of polishing tool. Circuit density, pattern size, and wiring layout also affect the performance of a CMP planarization process. This paper presents the results of studies on CMP process window characterization for 0.35 micron process with 5 metal layers.

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