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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. T, v.36T no.1, 1999년, pp.13 - 18
김동진 (정회원, 유한대학 전자과) , 강창수 (정회원, 유한대학 전자과)
The trap density by the stress bias in silicon oxides with different thicknesses has been investigated. The trap density by stress bias was shown to be composed of on time current and off time current. The on time trap density was composed of dc current. The off time trap density was caused by the t...
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