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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics. D, v.36D no.3, 1999년, pp.41 - 47
양전욱 (정회원, 전북대학교 반도체생물연구소)
Ion implanted GaAs MESFET with low resistive layer was fabricated using Si diffusion into GaAs from SiN. During the thermal annealing at 95
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