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나도 재료 형성기술과 응용 원문보기

전기전자재료 = Bulletin of the Korean institute of electrical and electronic material engineers, v.14 no.9, 2001년, pp.12 - 18  

천진우 (KAIST 화학과)

초록이 없습니다.

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제안 방법

  • 또한. 두께 등의 크기에 의존하는 구분된 전이 에너지 준위를 가진 양자 우물의 사용은 그 두께가 수십 나노 미터보다 작아졌을 때, 물질의 파장을 조절할 수 있호리라는 가눔성을 제시하였다. 이러한 생각에서 1975년에 처음으로 만들어진 양자 우물 레이저는 일반적인 레이저보다 효율이 낮았으나, 1981년 분자빔 에픽터시 방법의 사용과 헤테로 구조 레이저디자인의 최적화를 통해 Tsang에 의해 만들어진 양자 우물 레이저는 효율적인 레아저를 가능하게 했다.
  • Nonhydrolytic synthesis는 1993년 TOPO를 이용한 hot injection 방법으로 인해 큰 관심을 이끌었다〔5〕. 연구에서는 유기금속 카드뮴 화합물 (CdMe2)과 셀레늄 화합물 (TOPSe)f hot TOPO에 주입시켜 homogeneous하게 nucleation 시키고 그 후에 열에너지에 의해 결정성장을 시켜 반도체 나노 결정을 합성하는 방법을 사용하였다. 합성된 나노결정은 그 크기에 따른 용해도 차이를 이용하어 분리하는 size selective precipitation 방법을 통해 그 크기분포가 약 5% 이하가 되도록 매우 균일하게 합성할 수 있다는 것을 보여주었다 (그림 3).
  • 1992년 Hitachi Europe에서는 5-doped GaAs 구조를 통해 까C에 side-gate 전압에 따라서 Coulomb gap이 진동하는 것올 관측하였고, IBM 에서는 50 nm Si 양자점 을 사용하여 90 K에서 작동하는 flash memory SED를 개발하였다. 이어 lattice mismatch를 통한 헤테로 에픽텍셜 성장으로 만들어진 self-organized quantum dots (SOQDs) 를 이용하여 일본의 동경 대학에서는 AlGaAs/GaAs 박막에 InAs SOQDs을 도입한 헤테로 junction field effect transistor (HFETs)를 제조하고 이틀 이용하여 flash-memoiy SED를 형성하였다. 그러나 이러한 물리적인 방법을 이용한 트랜지스터는 二 크기에 있어 한계를 갖고 있다.
  • 합성하였다. 즉, 감압조건에서 적당한 선구 물질을 사용하여 evaporation (or sublimation), condensation과정을 통해 결정 핵의 생성과 결정 성장을 통한 방법을 봉해 나노 결정의 합성이 주로 이루어졌다. 이러한 기체상 합성은 여러 가지 다른 방법을 통해 이루어졌는데 aerosol-processing techniques, combustion flame, plasma, laser ablation, chemical vapor condensa­ tion, spray pyrolysis, electrospray, plasmaspray등을 통해 이루어 졌다.

대상 데이터

  • 또한 실린더 구조를 가진 MCM-41. 큐빅 구조를 가진 MCM-48. SBAT등 다공성 물질은 서로 다른 구조를 가지고 있기 때문에 각기 다른 형태의 주형으로 사용되어 1차원 배열을 비롯한 2차원' 3차원의 다차원 양자점 정렬이 가능하다〔10) (그림 7).
  • 그림 9. 풀러렌(C60)를 이용한 단일 전자 트랜지스터.
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