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제안 방법
- LaAlOs 기판위에 laser abalation 방법으로 5000 A 두께의 YBaCuO 박막을 제작하였다. 제작된 박막을 선폭 100 ㈣으로 마스크를 제작하였다.
- 위에서와 같이 동일하게 제작된 YBCO 박막을 두께 7 ㎛까지 도포가 가능한 AZ 4620 포토레지스터를 스핀 속도 4000 rpm로 35 초 동안 회 전하며, 도포한 후 90 ℃ 의 hot plate 위에서 1분 동안 soft baking을 실시하였다. 다음으로 이를 자외선 노광기에서 4분동안 충분히 노출을 실시하고, 현상액(AZ 400K 원액)에 담그어 빛에 노출된 부분의 포토레지스터를 제거하였匸이렇게 제작된 샘플을 표 2와 같은 조건의 ICP 장비를 이용하여 dry etching을 실시하였다. 에칭 후에 패턴 위에 남아 있는 경화된 포토레지스터 층은。2 분위기에서 스퍼터링을 이용하여 제거하였다.
- 먼저 전자 현미경 사진과, x-ray 분석을 통해 레이져빔으로 만들어진 박막의 초전도 상을 확인하였다. 그림 2 에서 보여주는 것과 같이 고온 초전도 상인 막대 형태의 상들이 조밀하게 형성되어 있는 것을 확인할 수 있다.
- 에천트 용액을 이용한 wet etching괴-, ICP 장치를 이용한 dry etching을 실시하여 미세선을 제작하고 이의 특성을 임계온도, 전자 현미경 사진을 통하여 비교하여 보았다. ICP를 이용하여 건식식각 에칭을 했을 경우 ICP 파워가 증가할수록 etch rate가 증가함을 알 수 있었다.
대상 데이터
- ICP 공급 코일로는 13.56 MHz에서 작동하는 평판형 코일을 사용하였匸]..
- 보호층이 필요하다. 본 실험에서는 Az 4620 포토를 사용하여 이 조건을 충족하였다. 다음 그림 5는 ICP 파워에 따른 etch rate를 나타낸 그림 이다.
- 두께의 YBaCuO 박막을 제작하였다. 제작된 박막을 선폭 100 ㈣으로 마스크를 제작하였다. 다음으로 '인산(H3PO4)고h 물의 비율을 1:5로 하여 etchant 용액을 만들었다.
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