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제안 방법
- 먼저 웨이퍼 위에 Ti/Cu를 3000A의 두께로 sputter 한 후, AZ 4000series인 도금용 감광막을 여 러번 코팅하여 60個로 입혔다. 범프를 형성하기 위한 test patterne diameter/pitch가 40/100, 60/150, 80/200, 100/250 "m인 via 마스크를 사용하여 노광 장비인 EV(Electrovision) contact aligner에서 700-900mJ의 에너지로 노광(exposure)시키고 현상액 (developer)에 담구어 via를 open하였다. Via open 후 fountain 방식의 전기도금 장비를 사용하여 전류밀도 lA/cirf 에서 Cu stud 및 솔더범프를 각각 5㎛, 70“m되게 전기도 금한 다음 seed metal을 습 식식각(wet etch) 방식으로 식각하고 210℃ 의 reflow oven에서 reflow 하였다.
- 범프를 형성하기 위한 test patterne diameter/pitch가 40/100, 60/150, 80/200, 100/250 "m인 via 마스크를 사용하여 노광 장비인 EV(Electrovision) contact aligner에서 700-900mJ의 에너지로 노광(exposure)시키고 현상액 (developer)에 담구어 via를 open하였다. Via open 후 fountain 방식의 전기도금 장비를 사용하여 전류밀도 lA/cirf 에서 Cu stud 및 솔더범프를 각각 5㎛, 70“m되게 전기도 금한 다음 seed metal을 습 식식각(wet etch) 방식으로 식각하고 210℃ 의 reflow oven에서 reflow 하였다. 범프형성 공정분석은 코팅속도 변화에 따른 감광막의 두께 변화를 SEM으로 측정하였으며, via open 시 노광시간에 따른 감광막의 현상(develop) 상태를 SEM으로 측정하였다.
- 범프형성 공정분석은 코팅속도 변화에 따른 감광막의 두께 변화를 SEM으로 측정하였으며, via open 시 노광시간에 따른 감광막의 현상(develop) 상태를 SEM으로 측정하였다. 그리고 via 마스크를 사용하고 전기도금하여 형성한 Cu stud 및 솔더의 두께 및 reflow 한 후의 두께를 각각 SEM으로 측정하였으며, 전류 밀 도를 1~3A/dn? 로 변화하여 도금한 Cu 및 솔더의 두께를 SEM으로 측정하여 전류변화에 따른 Cu 및 솔더의 도금속도를 산출하였다.
- 범프형성 공정분석은 코팅속도 변화에 따른 감광막의 두께 변화를 SEM으로 측정하였으며, via open 시 노광시간에 따른 감광막의 현상(develop) 상태를 SEM으로 측정하였다. 그리고 via 마스크를 사용하고 전기도금하여 형성한 Cu stud 및 솔더의 두께 및 reflow 한 후의 두께를 각각 SEM으로 측정하였으며, 전류 밀 도를 1~3A/dn? 로 변화하여 도금한 Cu 및 솔더의 두께를 SEM으로 측정하여 전류변화에 따른 Cu 및 솔더의 도금속도를 산출하였다.
- 본 논문에서는 electroplating 방법을 이용하여 직경 및 높이가 각각 40/zm, 70网1이고 pitch가 100㎛ 인 fine pitch의 솔더범프를 웨이퍼 pad에 직접 형 성하였다. 범프를 제작하기 위하여 웨이퍼에 seed metal을 증착하고, PR을 여러 번 코팅하여 두꺼운 감광막을 형성하였으며, 범프를 형성하기 위하여 두껍게 입혀진 감광막에서 노광시간 변화에 따른 via 형성 모양을 SEM으로 분석하였으며, electroplating 공정에서 범프의 높이를 조정하기 위하여 Cu 및 솔 더의 증착 속도를 측정하였고, electroplating 후 범프 직경 및 높이와 reflow 후 범프 직경 및 높이를 SEM으로 비교 측정하였다
- Via open 후 fountain 방식의 전기도금 장비를 사용하여 전류밀도 lA/cirf 에서 Cu stud 및 솔더범프를 각각 5㎛, 70“m되게 전기도 금한 다음 seed metal을 습 식식각(wet etch) 방식으로 식각하고 210℃ 의 reflow oven에서 reflow 하였다. 범프형성 공정분석은 코팅속도 변화에 따른 감광막의 두께 변화를 SEM으로 측정하였으며, via open 시 노광시간에 따른 감광막의 현상(develop) 상태를 SEM으로 측정하였다. 그리고 via 마스크를 사용하고 전기도금하여 형성한 Cu stud 및 솔더의 두께 및 reflow 한 후의 두께를 각각 SEM으로 측정하였으며, 전류 밀 도를 1~3A/dn? 로 변화하여 도금한 Cu 및 솔더의 두께를 SEM으로 측정하여 전류변화에 따른 Cu 및 솔더의 도금속도를 산출하였다.
- 본 논문에서는 electroplating 방법을 이용하여 직경 및 높이가 각각 40/zm, 70网1이고 pitch가 100㎛ 인 fine pitch의 솔더범프를 웨이퍼 pad에 직접 형 성하였다. 범프를 제작하기 위하여 웨이퍼에 seed metal을 증착하고, PR을 여러 번 코팅하여 두꺼운 감광막을 형성하였으며, 범프를 형성하기 위하여 두껍게 입혀진 감광막에서 노광시간 변화에 따른 via 형성 모양을 SEM으로 분석하였으며, electroplating 공정에서 범프의 높이를 조정하기 위하여 Cu 및 솔 더의 증착 속도를 측정하였고, electroplating 후 범프 직경 및 높이와 reflow 후 범프 직경 및 높이를 SEM으로 비교 측정하였다
대상 데이터
- 결정면인 p형 5인치 실리콘 웨이퍼를 사용하였으며 다음과 같은 공정순서로 범프를 제작하였다. 먼저 웨이퍼 위에 Ti/Cu를 3000A의 두께로 sputter 한 후, AZ 4000series인 도금용 감광막을 여 러번 코팅하여 60個로 입혔다.
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