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V$_2$O$_5$의 첨가가 (Zr$_{0.8}$,Sn$_{0.2}$)TiO$_4$의 마이크로파 유전특성에 미치는 영향
Effect of V$_2$O$_5$ Addition on Microwave Dielectric Properties of (Zr$_{0.8}$,Sn$_{0.2}$)TiO$_4$ 원문보기

마이크로전자 및 패키징 학회지 = Journal of the Microelectronics and Packaging Society, v.8 no.1 = no.19, 2001년, pp.27 - 32  

이경호 (순천향대학교 신소재·화학공학부)

초록
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($Zr_{0.8}, Sn_{0.2})TiO_4$의 소결온도를 저하시키고 품질계수 향상의 목적으로 첨가한 $V_2O_5$가 다른 donor형태의 화합물과 달리 품질계수의 저하를 가져오는 원인을 $Ta_2O_5$가 첨가된 ($Zr_{0.8}, Sn_{0.2})TiO_4$와 미세 구조변화, 전기전도도, 산화상태의 관점에서 비교 분석하였다. 일반적으로 donor형태의 화합물의 첨가는 ($Zr_{0.8}, Sn_{0.2})TiO_4$산소공공의 농도를 감소시켜 품질계수의 증가를 가져오는 것으로 알려져 있다. $V_2O_5$의 첨가의 경우는 액상소결에 의한 결정입계상 존재, 섬유상 형태의 $V_2O_5-TiO_2$rich 이차상 형성 및 Vanadium 이온의 산화상태 불안정에서 기인된 산소공공의 농도 증가가 복합적으로 ($Zr_{0.8}, Sn_{0.2})TiO_4$의 품질계수 저하 요인으로 작용하였다.

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The effect of $V_2O_5$, a donor-type dopant on the degradation of quality factor of ($Zr_{0.8}, Sn_{0.2})TiO_4$was compared with Ta$_2$O$_{5}$ doped ($Zr_{0.8}, Sn_{0.2})TiO_4$ in terms of microstructure, electrical conductivity, and oxidation s...

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