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비전도성 에폭시를 사용한 RF-MEMS 소자의 웨이퍼 레벨 밀봉 실장 특성
Wafer Level Hermetic Sealing Characteristics of RF-MEMS Devices using Non-Conductive Epoxy 원문보기

마이크로전자 및 패키징 학회지 = Journal of the Microelectronics and Packaging Society, v.8 no.4 = no.22, 2001년, pp.11 - 15  

박윤권 (한국과학기술연구원 디스플레이 및 나노소자연구실, 서울시립대학교 전자전기공학부) ,  이덕중 (한국과학기술연구원 디스플레이 및 나노소자연구실) ,  박흥우 (한국과학기술연구원 디스플레이 및 나노소자연구실) ,  송인상 (삼성종합기술연구원 MEMS Lab) ,  김정우 (삼성종합기술연구원 MEMS Lab) ,  송기무 (삼성종합기술연구원 MEMS Lab) ,  이윤희 (한국과학기술연구원 디스플레이 및 나노소자연구실) ,  김철주 (서울시립대학교 전자전기공학부) ,  주병권 (한국과학기술연구원 디스플레이 및 나노소자연구실)

초록
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본 연구에서는 RF-MEMS소자의 웨이퍼레벨 패키징에 적용하기 위한 밀봉 실장 방법에 대하여 연구를 하였다. 비전도성 B-stage에폭시를 사용하여 밀봉 실장하는 방법은 플립칩 접합 방법과 함께 MEMS 소자 패키징에 많은 장점을 줄 것이다. 특히 소자의 동작뿐만 아니라 기생성분의 양을 줄여야 하는 RF-MEMS 소자에는 더욱더 많은 장전을 보여준다. 비전도성 B-stage 에폭시는 2차 경화가 가능한 것으로 우수한 밀봉 실장 특성을 보였다. 패키징시 상부기관으로 사용되는 유리기판 위에 500 $\mu\textrm{m}$의 밀봉선을 스크린 프린팅 방식으로 패턴닝을 한 후에 $90^{\circ}C$와 $170^{\circ}C$에서 열처리를 하였다. 2차 경화 후 패턴닝된 모양이 패키징 공정이 끝날 때까지 계속 유지가 되었다. 패턴닝 후 에폭시 놀이가 4인치 웨이퍼에서 $\pm$0.6$\mu\textrm{m}$의 균일성을 얻었으며, 접합강토는 20 MPa을 얻었다. 또한 밀봉실장 특성을 나타내는 leak rate는 $10^{-7}$ cc/sec를 얻었다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

In this paper, hermetic sealing technology was studied for wafer level packaging of the RF-MEMS devices. With the flip-chip bonding method. this non-conductive B-stage epoxy sealing will be profit to the MEMS device sealing. It will be particularly profit to the RF-MEMS device sealing. B-stage epoxy...

주제어

#Hermetic sealing   #B-stage epoxy   #RF-MEMS   #Leak test   #pull test  

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