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GaAs/AlGaAs 양자세선의 전자기적 특성
Electro-magnetic properties of GaAs/AlGaAs quantum wires 원문보기

韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society, v.10 no.2, 2001년, pp.262 - 266  

이주인 (한국표준과학연구원) ,  서정철 (한국표준과학연구원) ,  이창명 (한국표준과학연구원) ,  임재영 (인제대학교 광공학과)

초록
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GaAS/AlGaAS 이종접합구조 위에 Split gate로 양자세선을 제작하여 Shubnikov de Haas 진동 및 양자 Hall 효과 측정으로 1DEG의 전기적 특성을 관측하였다. Gate 전압이 증가할수록 채널폭이 좁아짐에 따라 ID 특성이 나타났다. Edge state 수송 이론인 Landauer-Butikker formula로부터 QHE plateau와 SdH 진동의 최소값이 나타나는 자기장 영역이 일치하지 않고 있는 현상을 명확히 규명하였다.

Abstract ▼ AI-Helper 아이콘AI-Helper

We have presented the electrical properties of the quantum wire fabricated by split gate on GaAs/AlGaAs heterostructures by using the Shubnikov de Haas oscillation and quantum Hall effect measurements. We observed the 1D properties of the sample as increasing gate voltage. The misfit between quantum...

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