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NTIS 바로가기Journal of semiconductor technology and science, v.1 no.2, 2001년, pp.95 - 102
Park, Kyu-Jeong (Department of Materials Engineering, Chungnam National University) , Shin, Woong-Chul (Department of Materials Engineering, Chungnam National University) , Yoon, Soon-Gil (Department of Materials Engineering, Chungnam National University)
Hafnium oxide thin films for gate dielectric were deposited at 주제어
G. D. Wilk and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 74, 2854 (1999)
G. D. Wilk and R. M. Wallace, Appl. Phys. Lett. 76, 112 (2000)
G. D. Wilk, R. M. Wallace, and J. M. Anthony, J. Appl. Phys. 87, 484 (2000)
M. Balog, M, Schieber, M. Michman, and S. Patai, Thin Solid Films, 41, 247 (1977)
L. M. Terman, Solid-State Electron, 5, 285 (1962)
L. Kang, B.H. Lee, W. J. Qi, and J. C. Lee, IEEE Electr. Dev. Lett. 21,181 (2000)
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