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반도체 실리콘재료의 정밀연삭을 위한 공정변수와 연삭후 표면에 형성된 wheel pattern과의 관계
Surface Wheel Pattern Analysis and Grinding Process Parameters of Silicon 원문보기

한국정밀공학회지 = Journal of the Korean Society for Precision Engineering, v.19 no.2 = no.131, 2002년, pp.187 - 194  

오한석 (연세대학교 세라믹공학과, 엠이엠씨 코리아(주)) ,  박성은 (연세대학교 세라믹공학과) ,  이홍림 (연세대학교 세라믹공학과)

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For the fine grinding process development of semiconductor monocrystalline silicon, wheel rotational speed, chuck rotational speed, feed rate and hysteresis force were controlled. Magic mirror system was used for grinding wheel pattern analysis. Curvature of wheel pattern was measured by fitting equ...

주제어

참고문헌 (12)

  1. G.R. Fisher, Semiconductor International, Vol. 9, pp. 97-102,1998 

  2. R.K. Goodall, Semiconductor Silicon/1998, The Electrochemical Society, Proceeding Vol. 98-1, pp. 1303-1324, 1998 

  3. T. Abe, Precision Engineering, Vol 13 (4), 251-255, 1991 

  4. R. Vandamme, Y. Xin, and Z.J. Pei, 'Method of processing semiconductor wafers,' US Patent 6114245, 2000 

  5. K. Subramanian and Y.R.Shanbhag, Handbook of industrial diamond and diamond films, pp. 1023-1041. 1998 

  6. Z.J. Pei, and A. Strasbaugh, 'Fine grinding of silicon,' International Joumal of Machine Tools and Manufacture, Vol. 41, pp. 659-672. 2001 

  7. H.S. Oh, J.R. Kim, T.H. Kim, J.J. Yu, H.L. Lee, J.H. Lee, and D. Rice, 'The characterization of process induced damage of silicon wafering process mechanical damge,' Defects in Silicon III, The Electrochemical Society, Proceeding Vol. 99-1, pp. 100-108, 1999 

  8. H.S. Oh, S.E. Park, S.M. Jeong, S.S. Kim and H.L. Lee, 'Process induced mechnical damage and fine grinding process parameters,' pp. 287-294, ISAAT 2001 

  9. K. Kugimiya, 'Characterization of microdeformation and crystal defects in silicon wafer surfaces,' J. Electrochem. Soc., Vol. 130, pp. 2123-2125, 1983 

  10. S. Hahn, K. Kugimiya, K. Vojtechovsky, M. Sifalda, M. Yamashita, PR. Blaustein and K. Takahashi, 'Characterization of mirror-polished Si wafers and advanced Si substrate structures using magic mirror method,' Semicon. Sci. Technol. Vol. 7, pp. A80-A85, 1992 

  11. K. Kygimiya, 'Makyoh topography : comparison with X-ray topography,' Semicon. Sci. Technol. Vol. 7, pp. A91-A94, 1992 

  12. S. Tokura, N. Fujino, M. Ninomiya and K. Masuda, 'Characterization of mirror-polished wafers by Makyo Method,' J. of Crystal Growth, Vol. 103, pp. 437-442, 1990 

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